[发明专利]一种OLED显示装置在审
申请号: | 201610121472.1 | 申请日: | 2016-03-03 |
公开(公告)号: | CN107154415A | 公开(公告)日: | 2017-09-12 |
发明(设计)人: | 王钊 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 上海申新律师事务所31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201506 上海市金山区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示器技术领域,尤其涉及一种OLED显示装置。
背景技术
现今主流的OLED显示屏技术,均采用顶部发光(Top Emission)的OLED显示装置,利用微共振腔效应,可大幅增加发光强度,但其视角色偏情形也较为严重,且出光效率不高。
随着显示技术的发展,消费者对于显示屏的要求越来越严苛,因此要求OLED显示面板具有较小的视角色偏(Just noticeable color difference,简称JNCD)(转换视角带来的颜色偏差)。随着OLED被应用于笔记本电脑、监视器、壁挂电视、穿戴式电子产品等轻薄型显示器以后,对于OLED的功耗要求越来越低。同时OLED具有较高的效率。但是OLED显示在追求越来越小的视角色偏的时候,同时会带来效率越来越低的问题,这是本领域技术人员所不愿意看到的。
发明内容
针对上述存在的问题,本发明公开一种OLED显示装置,包括:
基板;
若干显示器件,位于所述基板上,且任一所述显示器件用以发射 单一颜色的光,所述若干显示器件发射至少包括三种不同颜色的光;
其中,每个所述显示器件均包括共振腔影响层,且发射的光的波长最小的显示器件的共振腔影响层在若干所述显示器件的共振腔影响层中具有最小的厚度,以降低该显示器件的共振腔强度。
上述的OLED显示装置,其中,所述若干显示器件至少包括分别用以发射不同颜色的光的第一显示器件、第二显示器件和第三显示器件;所述第一显示器包括第一共振腔影响层、所述第二显示器包括第二共振腔影响层,所述第三显示器包括第三共振腔影响层;
所述第三共振腔影响层的厚度与所述第一共振腔影响层、第二共振腔影响层的厚度不相同。
上述的OLED显示装置,其中,所述第一显示器件发射的光的波长大于所述第二显示器件发射的光的波长,所述第二显示器件发射的光的波长大于所述第三显示器件发射的光的波长;
其中,所述第三共振腔影响层的厚度小于所述第一共振腔影响层和所述第二共振腔影响层的厚度。
上述的OLED显示装置,其中,所述第一显示器件发射红光,所述第二显示器件发射绿光,所述第三显示器件发射蓝光。
上述的OLED显示装置,其中,所述第一显示器件包括按照从下至上的顺序依次设置的第一阳极、红光发光层、第一阴极和第一光取出层;
所述第二显示器件包括按照从下至上的顺序依次设置的第二阳极、绿光发光层、第二阴极和第二光取出层;
所述第三显示器件包括按照从下至上的顺序依次设置的第三阳极、蓝光发光层、第三阴极和第三光取出层。
上述的OLED显示装置,其中,所述第一共振腔影响层包括所述第一阳极、所述第一阴极和所述第一光取出层;
所述第二共振腔影响层包括所述第二阳极、所述第二阴极和所述第二光取出层;
所述第三共振腔影响层包括所述第三阳极、所述第三阴极和所述第三光取出层。
上述的OLED显示装置,其中,所述第三光取出层的折射率小于所述第一光取出层和/或所述第二光取出层的折射率。
上述的OLED显示装置,其中,所述第一阳极、第二阳极和第三阳极均包括金属层和覆盖所述金属层的氧化层。
上述的OLED显示装置,其中,所述金属层的材质为银。
上述的OLED显示装置,其中,所述氧化层的材质为氧化铟锡或氧化铟锌。
上述的OLED显示装置,其中,所述第三阳极与所述第一阳极、所述第二阳极的厚度之差均为50-150nm。
上述的OLED显示装置,其中,所述第三阴极与所述第一阴极、所述第二阴极的厚度之差均为3-10nm。
上述的OLED显示装置,其中,所述第三光取出层与所述第一光取出层和第二光取出层的厚度之差均为40-60nm。
本发明还公开了一种OLED显示装置,包括:
基板;
若干显示器件,位于所述基板上,且任一所述显示器件用以发射单一颜色的光,所述若干显示器件发射至少包括三种不同颜色的光;
其中,每个所述显示器件均包括光取出层,且发射的光的波长最小的显示器件的光取出层在若干所述显示器件的光取出层中具有最小的折射率,以降低该显示器件的共振腔强度。
上述发明具有如下优点或者有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的