[发明专利]一种硫化亚铜纳米片的制备方法

权利要求书

1.一种硫化亚铜纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤a、将S_iO₂/S_i基底清洗；然后将Cu纳米粉末置于石英舟中，并在石英舟的正上方平放清洗干净的S_iO₂/S_i基底，将石英舟置于高温管式炉的石英管中并密封；

步骤b、将S粉末置于石英舟中，距离S_iO₂/S_i基底10-25cm；

步骤c、向石英管中通入惰性气体将管中的空气完全排净，调小惰性气体的气流量，高温管式炉升温至600-800℃，反应完全后自然降温；

步骤d、待石英管的温度达到室温时取出样品，样品制备完成。

2.根据权利要求1所述的硫化亚铜纳米片的制备方法，其特征在于，所述S_iO₂/S_i基底的清洗，首先用丙酮、异丙醇各超声15-25min，然后放入H₂O₂和H₂SO₄的混合溶液中清洗1-3h，最后用去离子水清洗。

3.根据权利要求2所述的硫化亚铜纳米片的制备方法，其特征在于，所述H₂O₂和H₂SO₄在混合溶液中的体积比为1:3。

4.根据权利要求1所述的硫化亚铜纳米片的制备方法，其特征在于，使用的惰性气体为氩气或氮气。

5.根据权利要求1所述的硫化亚铜纳米片的制备方法，其特征在于，高温管式炉的升温速率为20℃/min—40℃/min。

6.根据权利要求1所述的硫化亚铜纳米片的制备方法，其特征在于，所述SiO2/Si基底的尺寸为1cm×1cm。