[发明专利]OLED器件的封装结构及显示装置在审
| 申请号： | 201610119026.7 | 申请日： | 2016-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN105742525A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 肖昂;申铉喆;孙泉钦;王向楠;崔富毅 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 滕一斌 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | oled 器件 封装 结构 显示装置 | ||
1.一种OLED器件的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：
包覆在有机发光二极管OLED器件外侧的多个膜层，所述多个膜层包括：交替叠加的无机层和有机层，且所述多个膜层中，位于所述多个膜层的内侧和外侧的膜层都为无机层；
所述多个膜层中，与所述OLED器件接触的无机层包括依次叠加的至少两个亚膜层，所述至少两个亚膜层中与有机层接触的亚膜层的形成材料与形成所述有机层的有机材料的接触角小于预设角度。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，
所述多个膜层中，除位于所述多个膜层的外侧的无机层之外，每个与有机层接触的无机层包括依次叠加的至少两个亚膜层，所述至少两个亚膜层中与有机层接触的亚膜层的形成材料与形成所述有机层的有机材料的接触角小于预设角度。
3.根据权利要求1或2所述的封装结构，其特征在于，
所述预设角度等于5度。
4.根据权利要求1或2所述的封装结构，其特征在于，
所述至少两个亚膜层中与有机层接触的亚膜层的形成材料包括氮氧化硅SiON和氧化硅SiOx中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，
所述至少两个亚膜层中与有机层接触的亚膜层的形成材料为SiOx。
6.根据权利要求1或2所述的封装结构，其特征在于，
所述至少两个亚膜层中与有机层不接触的亚膜层的形成材料包括SiNx。
7.根据权利要求1或2所述的封装结构，其特征在于，
所述多个膜层中，与所述OLED器件接触的无机层包括依次叠加的至少两个亚膜层，所述至少两个亚膜层包括第一亚膜层、第二亚膜层和第三亚膜层，所述第一亚膜层、所述第二亚膜层和所述第三亚膜层按照从靠近所述OLED器件到远离所述OLED器件依次叠加；
其中，所述第三亚膜层的形成材料包括SiON和SiOx中的至少一种，所述第一亚膜层和所述第二亚膜层中存在至少一个亚膜层的形成材料为SiNx。
8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，
所述第一亚膜层的形成材料为SiNx，所述第二亚膜层的形成材料为SiON，所述第三亚膜层的形成材料为SiOx。
9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：OLED器件和权利要求1至8任一所述的OLED器件的封装结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
