[发明专利]用于电子器件的化合物

说明书

本发明专利申请是国际申请号为PCT/EP2012/004744，国际申请日为2012年11月15日，进入中国国家阶段的申请号为201280061364.X，发明名称为“用于电子器件的化合物”的中国发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及芳基氨基化合物并且涉及其在电子器件，例如有机电致发光器件中的用途。本发明还涉及如下的电子器件，所述电子器件在该器件的相应功能层中包含一种或多种所述化合物作为例如空穴传输材料。本发明还涉及用于制备所述化合物的方法，并且涉及包含一种或多种所述化合物的制剂。

背景技术

开发用于电子器件中的功能化合物，受到重要关注。在此处的目的特别是开发如下的化合物，使用该化合物可以在一个或多个相关点实现电子器件性质的改进，所述性质例如是功率效率、寿命或发出的光的颜色坐标。

根据本发明，术语电子器件特别是被认为是指有机集成电路(OIC)、有机场效应晶体管(OFET)、有机薄膜晶体管(OTFT)、有机发光晶体管(OLET)、有机太阳能电池(OSC)、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件(OFQD)、有机发光电化学电池(OLEC)、有机激光二极管(O-laser)和有机电致发光器件(OLED)。

特别关注的是提供用于最后提及的被称为OLED的电子器件中的化合物。OLED的一般结构和功能原理是本领域普通技术人员所已知的，并且特别是描述于US 4539507、US 5151629、EP 0676461和WO 1998/27136中。

特别是考虑到广泛的商业用途，例如在显示器件中或作为光源，在OLED的性能数据方面仍需要进一步改进。在这点上，特别重要的是OLED的寿命、效率和工作电压以及达到的色值。特别是在发蓝色光的OLED的情况中，有可能在所述器件的寿命方面进行改进。此外，希望用作电子器件中功能材料的化合物具有高的热稳定性和高的玻璃化转变温度，并且能够在未分解的情况下升华。

关于这一点，特别是需要可选的空穴传输材料。在根据现有技术的空穴传输材料的情况下，电压通常随空穴传输层的层厚度增加而升高。在实际中，将通常需要空穴传输层具有更大的层厚度，但是这通常导致更高的工作电压和更差的性能数据。关于这一点，需要具有高载荷子迁移率的新型空穴传输材料，以能够在工作电压仅略微升高的情况下实现更厚的空穴传输层。

此外，需要能够简单地并且廉价地制备的空穴传输材料。此外还需要能够以非常纯的形式制备的空穴传输材料。

现有技术(JP 1995/053955 A)公开了在OLED中使用三芳基氨基化合物，例如三(对联苯基)胺或三(对三联苯基)胺。

此外，现有技术(WO 2006/123667 A1和JP 2010/222268 A)公开了在OLED中使用如下的三芳基氨基化合物，其具有对位或间位连接的单独的芳族环。

另外JP 2007/91719 A还公开了在OLED中使用如下的三芳基氨基化合物，其含有1,3,5-三苯基取代的苯基基团作为芳基基团。

然而，仍然需要如下的化合物，其适合作为OLED中的功能材料，特别是作为空穴传输材料。

发明内容

此时已经发现，下文示出的式(I)化合物能够非常适当地用作OLED中的功能材料。

因此，本发明涉及式(I)的化合物

其中以下限定适用于出现的符号和标记：

Z在每次出现时相同或不同地是CR¹或N，其中如果键合基团Ar¹或Ar²，则Z等于C；

W等于CH或N；

Ar¹在每次出现时相同或不同地是具有6至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系可以被一个或多个基团R¹取代；

Ar²在每次出现时相同或不同地是具有6至24个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述环系可以被一个或多个基团R¹取代；