[发明专利]单向晶闸管触发节流电路及其触发装置

权利要求书

1.一种单向晶闸管触发节流电路，其特征是：其包括第一电阻、第一半导体开关，所述第一电阻的一端与所需触发节流的单向晶闸管的阳极连接，所述第一电阻的另一端与所述第一半导体开关的控制端连接，所述第一半导体开关串联在所述单向晶闸管的触发回路中；所述第一电阻、所述第一半导体开关的控制回路、所述单向晶闸管的触发极、所述单向晶闸管的阴极串联而成一串联电路。

2.根据权利要求1所述的单向晶闸管触发节流电路，其特征是：所述第一半导体开关的输出端的一端与所述单向晶闸管的触发极连接，所述第一半导体开关的输出端的另一端为触发信号输入端。

3.根据权利要求2所述的单向晶闸管触发节流电路，其特征是：所述第一半导体开关为一NPN型三极管、一NPN型达林顿管或一NPN型达林顿电路，所述第一半导体开关的发射极与所述触发极连接，所述第一半导体开关的基极与所述第一电阻连接。

4.根据权利要求3所述的单向晶闸管触发节流电路，其特征是：所述第一半导体开关连接有用于提高工作稳定性的电阻。

5.根据权利要求2所述的单向晶闸管触发节流电路，其特征是：所述第一半导体开关为一半导体器件。

6.根据权利要求5所述的单向晶闸管触发节流电路，其特征是：所述半导体器件为一NPN型三极管或场效应管，所述NPN型三极管的集电极为所述触发信号输入端，所述NPN型三极管的发射极与所述触发极连接，所述NPN型三极管的基极与所述第一电阻连接。

7.根据权利要求6所述的单向晶闸管触发节流电路，其特征是：还包括第二电阻，所述第二电阻两端分别与所述NPN型三极管的发射极、所述NPN型三极管的基极连接。

8.根据权利要求1所述的单向晶闸管触发节流电路，其特征是：所述第一半导体开关在检测到所述单向晶闸管的阳极与所述单向晶闸管的阴极之间正向电位差大于所述单向晶闸管导通的电压降时导通，所述第一半导体开关在检测到所述单向晶闸管导通后截止。

9.根据权利要求1至8中任一权利要求所述的单向晶闸管触发节流电路，其特征是：还包括第二稳压器件、一光电耦合器，所述第一电阻通过所述光电耦合器的输出端与所述第一半导体开关的控制端连接，所述第一电阻与所述光电耦合器的输出端连接的共同端与所述第二稳压器件的一端连接，所述第二稳压器件的另一端与所述单向晶闸管的阴极连接。

10.根据权利要求9所述的单向晶闸管触发节流电路，其特征是：所述第二稳压器件为一稳压二极管，所述稳压二极管的阳极与所述单向晶闸管的阴极连接。

11.一种单向晶闸管触发装置，其特征是：其包括根据权利要求1至8中任一权利要求所述的单向晶闸管触发节流电路，还包括第三电阻、一单向导通器件、一电容、第一稳压器件，所述第三电阻、所述单向导通器件、所述电容串联而成第一串联电路，所述第一串联电路的一端与所述单向晶闸管的阴极连接，所述第一串联电路的另一端用于与相对于所述单向晶闸管的阴极的另一相电源或中性线连接，所述电容通过所述第一半导体开关、所述单向晶闸管的触发极、所述单向晶闸管的阴极形成放电回路，所述电容与所述第一稳压器件并联或所述电容与所述单向导通器件串联而成的串联电路与所述第一稳压器件并联。

12.根据权利要求11所述的单向晶闸管触发装置，其特征是：通过所述第三电阻的电流小于触发所述单向晶闸管导通的最小触发电流。