[发明专利]晶闸管驱动装置在审

专利信息
申请号: 201610117432.X 申请日: 2016-02-26
公开(公告)号: CN105634457A 公开(公告)日: 2016-06-01
发明(设计)人: 郭桥石 申请(专利权)人: 广州市金矢电子有限公司
主分类号: H03K17/78 分类号: H03K17/78;H03K19/01
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 511447 广东省广州市番禺*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 晶闸管 驱动 装置
【权利要求书】:

1.一种晶闸管驱动装置,其包括一非隔离式供电电路、一节流电路,所述非隔离式供电电路的电源输入端的一端用于与所需驱动的晶闸管的第一端连接,所述电源输入端的另一端用于与相对于所述第一端的另一相电源或中性线连接,所述非隔离式供电电路通过所述节流电路、所述晶闸管的第二端、所述第一端形成触发信号回路,所述节流电路的控制端用于与所述晶闸管的第三端连接,所述节流电路检测到所述晶闸管导通,关断所述晶闸管的触发信号;

所述非隔离式供电电路包括限流元件、一单向导通器件、一电容、一稳压器件,所述限流元件、所述单向导通器件、所述电容串联而成第一串联电路,所述第一串联电路的一端用于与所述第一端连接,所述第一串联电路的另一端用于与所述另一相电源或所述中性线连接,所述电容与所述稳压器件并联或所述电容与所述单向导通器件串联而成的串联电路与所述稳压器件并联。

2.根据权利要求1所述的晶闸管驱动装置,其特征是:所述节流电路检测到所述第三端与所述第一端之间电位差大于所述晶闸管导通的电压降,接通所述晶闸管的触发信号,所述节流电路检测到所述晶闸管导通,关断所述触发信号。

3.根据权利要求1所述的晶闸管驱动装置,其特征是:通过所述限流元件的电流小于触发所述晶闸管导通所需的最小触发电流。

4.根据权利要求1所述的晶闸管驱动装置,其特征是:所述稳压器件为一稳压二极管,所述单向导通器件为一二极管,所述限流元件为一电阻。

5.根据权利要求1所述的晶闸管驱动装置,其特征是:还包括第四电阻,所述第四电阻串联在所述触发信号回路中。

6.根据权利要求1所述的晶闸管驱动装置,其特征是:所述电容通过所述节流电路、所述第二端、所述第一端形成所述触发信号回路。

7.根据权利要求1所述的晶闸管驱动装置,其特征是:所述晶闸管为单向晶闸管,所述第一端为所述单向晶闸管的阴极,所述第二端为所述单向晶闸管的触发极,所述第三端为所述单向晶闸管的阳极,所述节流电路包括第二电阻、第一半导体开关,所述第一半导体开关的控制端通过所述第二电阻与所述单向晶闸管的阳极连接,所述电容通过所述第一半导体开关、所述触发极、所述阴极形成放电回路。

8.根据权利要求7所述的晶闸管驱动装置,其特征是:所述节流电路检测到所述单向晶闸管的阳极与所述单向晶闸管的阴极之间正向电位差大于所述单向晶闸管导通的电压降,所述第一半导体开关导通,所述节流电路检测到所述单向晶闸管导通,所述第一半导体开关截止。

9.根据权利要求7所述的晶闸管驱动装置,其特征是:所述第一半导体开关为一NPN型三极管、一NPN型达林顿管或一NPN型达林顿电路。

10.根据权利要求7所述的晶闸管驱动装置,其特征是:所述第一半导体开关为三极管,还包括第三电阻,所述三极管的集电极作为所述单向晶闸管的触发信号输入端,所述三极管的发射极与所述触发极连接,所述三极管的基极与所述第二电阻连接,所述第三电阻的两端分别与所述三极管的发射极、所述三极管的基极连接。

11.根据权利要求7所述的晶闸管驱动装置,其特征是:所述限流元件与所述单向导通器件连接,所述另一相电源或所述中性线通过所述限流元件、所述单向导通器件对所述电容正向充电,所述电容的正向充电端通过所述第一半导体开关与所述触发极连接,所述电容的另一端用于与所述单向晶闸管的阴极连接。

12.根据权利要求7所述的晶闸管驱动装置,其特征是:还包括用于控制所述电容放电的第二半导体开关。

13.根据权利要求12所述的晶闸管驱动装置,其特征是:所述第二半导体开关为一光电耦合器或一光电耦合驱动晶体管电路。

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