[发明专利]真空镀膜件及其制造方法

权利要求书

1.一种真空镀膜件的制造方法，其包括如下步骤：

⑴准备洁净基体；

⑵用钛铝合金靶材，在基体上用真空镀膜的方法溅射一层打底层；

⑶用镍铜合金靶材，在上述步骤⑵基础上用真空镀膜方法溅射一层过渡保护层；

⑷用铜靶材，在上述步骤⑶基础上用真空镀膜方法溅射一层加厚导电铜层；

⑸用镍铜合金靶材，在上述步骤⑷基础上用真空镀膜方法溅射一层过渡保护层；

⑹用银靶材，在上述步骤⑸基础上用真空镀膜方法溅射一层导电银层。

2.如权利要求1所述的真空镀膜件的制造方法，其特征在于：打底层为钛铝层，形成该打底层的工艺参数为：在真空室中加入氩气至真空度为0.2~0.8Pa，给基体施加-400~-500V的脉冲偏压，占空比为20~40%，并开启转架公转，转速为2~5转/分钟，开启钛铝合金电弧溅射靶，电弧靶电流设置为50~70A，对基体镀膜钛铝层2~4分钟；完成后在1分钟内逐渐调整基体上脉冲偏压至电压-80~-150V，占空比40~60%,电弧靶电流70~100A，继续镀膜3~5分钟，打底层厚度为0.2~1μm，完成打底层镀膜。

3.如权利要求1所述的真空镀膜件的制造方法，其特征在于：过渡保护层为镍铜合金，形成该过渡保护层的工艺参数为：调整氩气流量至真空度为0.2~0.5Pa，调整基体上脉冲偏压至电压-80~-150V，占空比40~60%,转架公转，转速为2~5转/分钟，开启镍铜合金磁控溅射靶，磁控靶电流设置为10~20A，对基体镀膜镍铜层2~6分钟；过渡保护层厚度为0.2~1μm，完成过渡保护层镀膜。

4.如权利要求1所述的真空镀膜件的制造方法，其特征在于：铜层为纯铜层，形成该铜层的工艺参数为：调整氩气流量至真空度为0.1~0.45Pa，调整基体上脉冲偏压至电压-80~-150V，占空比40~60%,转架公转，转速为2~5转/分钟，开启纯铜磁控溅射靶，磁控靶电流设置为15~40A，对基体镀膜纯铜层5~30分钟；铜层厚度为1-10μm，完成铜层镀膜。

5.如权利要求1所述的真空镀膜件的制造方法，其特征在于：银层为纯银层，形成该银层的工艺参数为：调整氩气流量至真空度为0.1~0.45Pa，调整基体上脉冲偏压至电压-80~-150V，占空比40~60%,转架公转，转速为2~5转/分钟，开启纯银磁控溅射靶，磁控靶电流设置为5~10A，对基体镀膜纯银层5~15分钟；银层厚度为0 .5~5μm，完成银层镀膜。