[发明专利]带有台阶高度的微米级光栅校准样片在审
| 申请号： | 201610115896.7 | 申请日： | 2016-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN105737879A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 赵琳;李锁印;韩志国;许晓青;冯亚南;梁法国;赵革艳;赵新宇;郑晓敏;孙悦 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | G01D18/00 | 分类号： | G01D18/00 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 王占华 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 带有 台阶 高度 微米 光栅 校准 样片 | ||
【权利要求书】：
1.一种带有台阶高度的微米级光栅校准样片，其特征在于：包括基底（1）、以及在基底（1）上设置的至少一组同一周期尺寸的光栅结构（2）和覆盖在光栅结构（2）表面的金属层；所述一组同一周期尺寸的光栅结构（2）包括同一周期尺寸的一维X方向栅条结构（3）、同一周期尺寸的一维Y方向栅条结构（4）和同一周期尺寸的二维栅格结构（5），所述一维X方向栅条结构（3）和一维Y方向栅条结构（4）中的若干个栅条分别沿X方向和Y方向均等排列，所述二维栅格结构（5）中的若干个栅格沿X方向和Y方向均等排列，所述栅条和栅格均为凸起的台阶高度结构。
2.根据权利要求1所述的带有台阶高度的微米级光栅校准样片，其特征在于：所述至少一组为7组，其周期尺寸分别为100μm、50μm、20μm、10μm、5μm、2μm、1μm。
3.根据权利要求1所述的带有台阶高度的微米级光栅校准样片，其特征在于：所述栅条和栅格的台阶高度量值为180nm。
4.根据权利要求1所述的带有台阶高度的微米级光栅校准样片，其特征在于：所述基底（1）采用硅材料，所述光栅结构（2）采用氮化硅材料。
5.根据权利要求1所述的带有台阶高度的微米级光栅校准样片，其特征在于：若干个不同周期尺寸的光栅结构（2）均设有对应的计量值标记和循迹标志。
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