[发明专利]一种改善SONOS闪存器件可靠性的方法在审
| 申请号： | 201610114701.7 | 申请日： | 2016-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN105552034A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 孙勤 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 sonos 闪存 器件 可靠性 方法 | ||
1.一种改善SONOS闪存器件可靠性的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S01、采用低压氧化工艺在硅衬底上形成预设厚度的隧穿氧化层；
步骤S02、在所述隧穿氧化层的上方形成用于存储电荷的氮化硅层；
步骤S03、通入ND3气体对所述隧穿氧化层以及氮化硅层进行高温退火工艺，以使所述隧 穿氧化层中的硅氢键被硅氘键代替；
步骤S04、在所述氮化硅层的上方，采用化学气相沉积工艺形成阻挡氧化层。
2.根据权利要求1所述的改善SONOS闪存器件可靠性的方法，其特征在于，所述步骤S03 中，先对所述隧穿氧化层以及氮化硅层进行高温预退火工艺，再通入ND3气体，以使所述隧 穿氧化层中的硅氢键被硅氘键代替。
3.根据权利要求2所述的改善SONOS闪存器件可靠性的方法，其特征在于，所述步骤S03 中，通入ND3气体进行高温退火的压力为500mtorr～760torr，退火温度为800℃～1100℃， 退火时间为3min～300min。
4.根据权利要求2所述的改善SONOS闪存器件可靠性的方法，其特征在于，所述步骤S03 中，所述ND3气体的气体流量为50sccm～10liter。
5.根据权利要求1所述的改善SONOS闪存器件可靠性的方法，其特征在于，所述步骤S02 中，采用高温低压化学气相沉积工艺形成所述氮化硅层。
6.一种改善SONOS闪存器件可靠性的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S01、采用低压氧化工艺在硅衬底上形成预设厚度的隧穿氧化层；
步骤S02、在所述隧穿氧化层的上方形成用于存储电荷的氮化硅层；
步骤S03、通入D2气体对所述隧穿氧化层以及氮化硅层进行高温退火工艺，以使所述隧 穿氧化层中的硅氢键被硅氘键代替；
步骤S04、在所述氮化硅层的上方，采用化学气相沉积工艺形成阻挡氧化层。
7.根据权利要求6所述的改善SONOS闪存器件可靠性的方法，其特征在于，所述步骤S03 中，先对所述隧穿氧化层以及氮化硅层进行高温预退火工艺，再通入D2气体，以使所述隧穿 氧化层中的硅氢键被硅氘键代替。
8.根据权利要求7所述的改善SONOS闪存器件可靠性的方法，其特征在于，所述步骤S03 中，通入D2气体进行高温退火的压力为200mtorr～760torr，退火温度为350℃～1100℃，退 火时间为3min～300min。
9.根据权利要求7所述的改善SONOS闪存器件可靠性的方法，其特征在于，所述步骤S03 中，所述D2气体的气体流量为50sccm～10liter。
10.根据权利要求6所述的改善SONOS闪存器件可靠性的方法，其特征在于，所述步骤 S02中，采用高温低压化学气相沉积工艺形成所述氮化硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
