[发明专利]译码方法、存储器储存装置及存储器控制电路单元

权利要求书

1.一种译码方法，用于包括多个记忆胞的可复写式非易失性存储器模块，其特征在于，所述译码方法包括：

程序化所述多个记忆胞中的至少一第一记忆胞；

基于第一硬决策电压准位读取所述至少一第一记忆胞以获得第一硬位信息；

根据所述第一硬位信息执行硬译码程序并判断所述硬译码程序是否失败；

若所述硬译码程序失败，判断所述至少一第一记忆胞属于第一类记忆胞或第二类记忆胞；

若所述至少一第一记忆胞属于所述第一类记忆胞，基于第二硬决策电压准位读取所述至少一第一记忆胞以获得第二硬位信息并根据所述第二硬位信息执行所述硬译码程序，其中所述第二硬决策电压准位与所述第一硬决策电压准位不同，其中所述第一硬位信息所包含的第一硬位的总数等于所述第二硬位信息所包含的第二硬位的总数；以及

若所述第一记忆胞属于所述第二类记忆胞，基于多个软决策电压准位读取所述至少一第一记忆胞以获得软位信息并根据所述软位信息执行软译码程序，其中所述第二硬位信息所包含的所述第二硬位的总数小于所述软位信息所包含的软位的总数。

2.根据权利要求1所述的译码方法，其特征在于，判断所述至少一第一记忆胞属于所述第一类记忆胞或所述第二类记忆胞的步骤包括：

若所述至少一第一记忆胞的损耗程度符合预设条件，判定所述至少一第一记忆胞属于所述第一类记忆胞；以及

若所述至少一第一记忆胞的所述损耗程度不符合所述预设条件，判定所述至少一第一记忆胞属于所述第二类记忆胞。

3.根据权利要求2所述的译码方法，其特征在于，判断所述至少一第一记忆胞属于所述第一类记忆胞或所述第二类记忆胞的步骤还包括：

判断所述至少一第一记忆胞的损耗程度值是否小于默认值；

若所述至少一第一记忆胞的所述损耗程度值小于所述默认值，判定所述至少一第一记忆胞的所述损耗程度符合所述预设条件；以及

若所述至少一第一记忆胞的所述损耗程度值等于或大于所述默认值，判定所述至少一第一记忆胞的所述损耗程度不符合所述预设条件。

4.根据权利要求3所述的译码方法，其特征在于，判断所述至少一第一记忆胞属于所述第一类记忆胞或所述第二类记忆胞的步骤还包括：

根据所述至少一第一记忆胞的损耗参数决定所述至少一第一记忆胞的所述损耗程度值，其中所述至少一第一记忆胞的所述损耗参数包括抹除计数、程序化计数、读取计数、位错误率、数据储存时间、程序化忙碌时间及重试计数的至少其中之一。

5.根据权利要求4所述的译码方法，其特征在于，还包括：

当程序化所述至少一第一记忆胞时，记录用于程序化所述至少一第一记忆胞的忙碌时间；以及

根据所述忙碌时间决定所述程序化忙碌时间。

6.根据权利要求4所述的译码方法，其特征在于，还包括：

程序化所述多个记忆胞中的至少一第二记忆胞；

读取所述至少一第二记忆胞并对应于所述至少一第二记忆胞执行第一次数的所述硬译码程序；以及

根据所述第一次数决定所述重试计数。

7.根据权利要求6所述的译码方法，其特征在于，映射至所述至少一第一记忆胞的第一逻辑单元是接续于映射至所述至少一第二记忆胞的第二逻辑单元。

8.根据权利要求6所述的译码方法，其特征在于，所述至少一第一记忆胞与所述至少一第二记忆胞属于所述可复写式非易失性存储器模块中的同一个实体抹除单元。

9.根据权利要求2所述的译码方法，其特征在于，判断所述至少一第一记忆胞属于所述第一类记忆胞或所述第二类记忆胞的步骤还包括：

判断所述至少一第一记忆胞的临界电压分布是否符合默认分布；

若所述至少一第一记忆胞的所述临界电压分布符合所述默认分布，判定所述至少一第一记忆胞的所述损耗程度符合所述预设条件；以及

若所述至少一第一记忆胞的所述临界电压分布不符合所述默认分布，判定所述至少一第一记忆胞的所述损耗程度不符合所述预设条件。