[发明专利]互补型薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种互补型薄膜晶体管，其特征在于：所述互补型薄膜晶体管包含：

一基板，定义有相邻的一N型晶体管区及一P型晶体管区；

一N型半导体层，设置在所述基板上方且位于所述N型晶体管区中，其中所述N型半导体层包含一金属氧化物材料；

一P型半导体层，设置在所述基板上方且位于所述P型晶体管区中，其中所述P型半导体层包含一有机半导体材料；

一刻蚀阻挡层，形成在所述N型半导体层上并位于所述N型晶体管区及所述P型晶体管区中，且所述P型半导体层形成在所述刻蚀阻挡层上；

及

一电极金属层，形成在位于所述N型晶体管区及所述P型晶体管区中，其中所述电极金属层形成在所述N型半导体层上，所述P型半导体层形成在所述电极金属层上，所述电极金属层通过所述刻蚀阻挡层的至少一通孔而与所述N型半导体层接触。

2.如权利要求1所述的互补型薄膜晶体管，其特征在于：所述互补型薄膜晶体管还包含一第一栅极层及一绝缘层，其中所述第一栅极层形成在所述基板上且位于所述N型晶体管区，所述绝缘层形成在所述第一栅极层及所述基板上且位于所述N型晶体管区及所述P型晶体管区中，其中所述N型半导体层及所述刻蚀阻挡层形成在所述绝缘层上。

3.如权利要求1所述的互补型薄膜晶体管，其特征在于：所述互补型薄膜晶体管还包含一缓冲层，形成在整个所述刻蚀阻挡层上并位于所述N型晶体管区及所述P型晶体管区中。

4.如权利要求2或3所述的互补型薄膜晶体管，其特征在于：所述互补型薄膜晶体管还包含：一钝化层，形成在所述电极金属层上且位于所述N型晶体管区及所述P型晶体管区中；及一第二栅极层，形成在所述钝化层上且位于所述P型晶体管区中。

5.如权利要求1所述的互补型薄膜晶体管，其特征在于：所述N型半导体层的金属氧化物材料选自于铟镓锌氧化物、铟锌氧化物或锌锡氧化物。

6.如权利要求1所述的互补型薄膜晶体管，其特征在于：所述P型半导体层的有机半导体材料选自于并五苯、三苯基胺、富勒烯、酞菁、苝衍生物或花菁。

7.一种互补型薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含步骤：一第一栅极层形成步骤，在一基板上定义相邻的一N型晶体管区及一P型晶体管区，并将一第一栅极层形成在所述基板上并位于所述N型晶体管区中；

一绝缘层形成步骤，将一绝缘层形成在所述第一栅极层及所述基板上且位于所述N型晶体管区及所述P型晶体管区中；

一N型半导体层形成步骤，将一N型半导体层形成在绝缘层上且位于所述N型晶体管区中，其中所述N型半导体层包含一金属氧化物材料；

一刻蚀阻挡层形成步骤，将一刻蚀阻挡层形成在所述N型半导体层及所述绝缘层上并位于所述N型晶体管区及所述P型晶体管区中；

一电极金属层形成步骤，将一电极金属层形成在所述N型半导体层上且位于所述N型晶体管区及所述P型晶体管区中，所述电极金属层通过所述刻蚀阻挡层的至少一通孔而与所述N型半导体层接触；及

一P型半导体层形成步骤，将一P型半导体层形成在所述电极金属层上且位于所述P型晶体管区中，其中所述P型半导体层包含一有机半导体材料。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于：所述制造方法在所述刻蚀阻挡层形成步骤之后还包含一缓冲层形成步骤，将一缓冲层形成在整个所述刻蚀阻挡层上并位于所述N型晶体管区及所述P型晶体管区中。