[发明专利]一种辐射敏感场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201610111860.1 | 申请日： | 2016-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN105552113B | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 王漪;张晓密;伦志远;丛瑛瑛;董俊辰;赵飞龙;韩德栋 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/16;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 场效应晶体管 二氧化硅层 石墨烯薄膜 辐射敏感 干法制备 探测器 高能粒子辐射 离子注入工艺 多层石墨烯 器件灵敏度 调整器件 二氧化硅 缓冲作用 界面问题 绝缘沟道 器件损伤 氧化硅层 源漏电极 源漏接触 杂质陷阱 阈值电压 沟道层 硅衬底 灵敏度 总剂量 电阻 减小 疏松 探测 辐射 引入 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于石墨烯薄膜材料的场效应晶体管的制备方法，包括以下步骤：
1)在硅衬底上生长一层导电薄膜，光刻刻蚀形成栅电极；
2)光刻栅介质层和沟道层图案，连续生长栅介质层，湿法工艺制备二氧化硅层，随后覆盖石墨烯薄膜层，在石墨烯薄膜上干法生长一层致密二氧化硅，随后通过离子注入对顶层二氧化硅进行掺杂，获得沟道层；
3)生长一层导电薄膜，光刻刻蚀形成源电极和漏电极；
4)生长一层钝化介质层，光刻刻蚀形成栅电极、源电极和漏电极的引出孔；
5)生长一层金属薄膜，光刻刻蚀形成金属电极和互连。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中，栅电极采用金属铝Al或者金属钛Ti。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中，栅介质层为干法工艺制备的二氧化硅绝缘材料。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤2)中，选择磷或硼离子进行离子注入，形成N或P型掺杂的二氧化硅。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤3)中，源电极和漏电极的导电薄膜采用氧化铟锡ITO或氧化锌铝AZO透明导电材料。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述石墨烯薄膜为单层或2～4层石墨烯材料。
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