[发明专利]一种去除碳基薄膜表面光刻胶的方法及应用

权利要求书

1.一种去除碳基薄膜表面光刻胶的方法，其特征在于，包括：

1)选取带有残留光刻胶的碳基薄膜样品；

2)将碳基薄膜样品放置于拉曼光谱系统的光学显微镜的激光出射口下方，调整碳基薄 膜样品位置到显微镜视野内，调节显微镜焦距，并聚焦到碳基薄膜样品表面；

3)用低能量的聚焦激光束对准碳基薄膜样品需要去胶位置，此时激光强度应在3mW以 下；

4)选择高能量的激光束，激光束的强度范围为10～40mW，用该高能量的激光束照射薄 膜样品表面，从而去除光刻胶残留。

2.如权利要求1所述的去除碳基薄膜表面光刻胶的方法，其特征在于，步骤2)中的激 光波长选用514、532或633nm。

3.如权利要求1所述的去除碳基薄膜表面光刻胶的方法，其特征在于，步骤4)中照射 的时间在5s至10min范围之内。

4.如权利要求1所述去除碳基薄膜表面光刻胶的方法应用于石墨烯晶体管的制备。