[发明专利]倒置堆叠封装件有效
申请号: | 201610110870.3 | 申请日: | 2016-02-29 |
公开(公告)号: | CN105742283B | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 杜茂华 | 申请(专利权)人: | 三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 刘灿强 |
地址: | 215021 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 倒置 堆叠 封装 | ||
技术领域
本发明涉及半导体封装领域,本发明涉及一种倒置堆叠封装件,更具体地讲,涉及一种动态随即存取存储器(DRAM)倒置堆叠封装件。
背景技术
在常规的DRAM双芯片堆叠封装中,两个芯片垂直堆叠,分别用金线或者其它材质的线连接到基底。
服务器类电子产品,对于DRAM有高容量的要求,由于尺寸限制,无法通过增加芯片面积提高容量,因此采用堆叠方式,将2个芯片堆叠在1个封装中,提高容量。
更具体地,在倒装芯片中,图1是示出现有倒装芯片技术的封装件100的剖视图。现有技术的封装件100包括基底110、多个芯片120a和120b以及包封构件130。多个芯片120a和120b通过粘合剂140顺序地粘结到基底上,并且分别通过引线150与基底110电连接。包封构件130设置在基底110上,并将多个芯片120a和120b以及引线150包封。也就是说,在现有的结构中,由于全部使用线连接,连接长度长,互联界面多,不利于电信号传播,而且由于打线工艺时间长,所以生产周期比较长。
发明内容
本发明的目的在于提供一种倒置堆叠封装件,所述倒置堆叠封装件能够通过改变堆叠方式,缩短互联长度,减少互联界面,同时提高生产效率。
为了实现上述目的,本发明的示例性实施例提供了一种倒置堆叠封装件,所述倒置堆叠封装件可以包括:基底,具有彼此背对的第一表面和第二表面;第一芯片,位于基底的第一表面上并且电连接到基底的第一表面;第二芯片,位于第一芯片上;柔性载带,位于第一芯片与第二芯片之间,并且与第一芯片绝缘并将第二芯片电连接到基底;包封构件,位于基底上并且包封第一芯片、第二芯片和柔性载带。
根据本发明的示例性实施例,倒置堆叠封装件的柔性载带可以包括:主体部,与第一芯片对应,并且电连接到第二芯片;翼部,从主体部向第一芯片的外部延伸,并且与基底的第一表面接触并电连接到基底的第一表面。
根据本发明的示例性实施例,倒置堆叠封装件的柔性载带还可以包括:基材;线路层,位于基材上;阻焊层,位于线路层上,并且具有暴露线路层的多个开口,其中,第二芯片通过多个开口电连接到线路层,基材的与翼部对应的区域具有窗口,使得线路层通过窗口电连接到基底的第一表面。
根据本发明的示例性实施例,倒置堆叠封装件的柔性载带的阻焊层的多个开口位于主体部中。
根据本发明的示例性实施例,倒置堆叠封装件的柔性载带可以在主体部与翼部的连接处具有多个通孔,使得包封构件在流动过程中实现平衡流动。
根据本发明的示例性实施例,倒置堆叠封装件的第一芯片可以通过凸点电连接到基底的第一表面。
根据本发明的示例性实施例,倒置堆叠封装件的第二芯片可以通过凸点电连接到柔性载带的线路层。
根据本发明的示例性实施例,倒置堆叠封装件的基材可以包括聚酰亚胺。
根据本发明的示例性实施例,倒置堆叠封装件的柔性载带的主体部和翼部可以通过粘合剂分别固定在第一芯片和基底上。
根据本发明的示例性实施例,倒置堆叠封装件还可以包括连接到基底的第二表面的焊球。
根据本发明的多个实施例,通过改变堆叠方式,能够使芯片与基底之间的互联长度缩短,互联界面减少,从而改善电性能,而且由于全部使用芯片整体贴装互联方式,可以提高生产效率。
附图说明
通过下面结合示例性地示出一例的附图进行的描述,本发明的上述和其他目的和特点将会变得更加清楚,其中:
图1是示出现有倒装芯片技术的封装件的剖视图;
图2是示出根据本发明的示例性实施例的倒置堆叠封装件的结构的示意性剖视图;
图3是示出根据本发明的示例性实施例的倒置堆叠封装件的柔性载带的剖视图;
图4是示出根据本发明的示例性实施例的倒置堆叠封装件的柔性载带的俯视图。
具体实施方式
在下文中,将通过参考附图对示例性实施例进行解释来详细描述本发明构思。然而,本发明构思可以按照多种不同形式具体实施,而不应当解释为限制为本文所阐述的各实施例;相反,提供这些实施例是为了使得本公开是清楚且完整的,并且将向本领域普通技术人员充分地传达本发明构思。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的