[发明专利]晶体管的离子注入方法和晶体管有效
| 申请号： | 201610109069.7 | 申请日： | 2016-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN107134409B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 马万里;高振杰 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 离子 注入 方法 | ||
1.一种晶体管的离子注入方法，其特征在于，包括：
在形成栅氧化层的衬底上形成待制备的晶体管的栅极结构，所述栅极结构的两侧区域分别为源极预留区域和漏极预留区域；
在所述栅极结构的一侧侧壁上形成侧墙；
在形成所述侧墙后，以指定注入角度对所述源极预留区域和所述漏极预留区域进行离子注入，
其中，所述指定注入角度为所述栅极结构的铅垂线与所述离子注入的轨迹线之间的角度，所述轨迹线与所述侧墙分布于所述铅垂线的对侧；
所述指定注入角度的范围为3～30°。
2.根据权利要求1所述的晶体管的离子注入方法，其特征在于，所述指定注入角度为7°。
3.根据权利要求2所述的晶体管的离子注入方法，其特征在于，在形成栅氧化层的衬底上形成待制备的晶体管的栅极结构前，还包括：
以温度范围为900～1000℃的热氧化工艺在所述衬底上形成氧化层；
以温度范围为500～700℃的化学气相淀积工艺形成多晶硅层；
对所述多晶硅层和所述氧化层进行光刻和刻蚀，以形成所述栅极结构和所述栅氧化层。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的晶体管的离子注入方法，其特征在于，在所述栅极结构的一侧侧壁上形成侧墙，具体包括以下步骤：
以温度范围为600～900℃的化学气相淀积工艺在所述栅极结构上形成氮化硅层；
对所述氮化硅层进行光刻和刻蚀处理，以形成所述侧墙。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的晶体管的离子注入方法，其特征在于，在所述栅极结构的一侧侧壁上形成侧墙，具体还包括以下步骤：
在形成所述栅极结构的衬底上旋涂光刻胶，并对所述光刻胶依次进行曝光和显影处理，仅保留所述栅极结构的一侧侧壁的光刻胶，以形成所述侧墙。
6.根据权利要求5所述的晶体管的离子注入方法，其特征在于，所述离子注入的离子为硼离子，剂量范围为1.0E12～1.0E16/cm2，能量范围为40～200KeV。
7.根据权利要求5所述的晶体管的离子注入方法，其特征在于，所述离子注入的离子为磷离子或砷离子，剂量范围为1.0E12～1.0E16/cm2，能量范围为40～200KeV。
8.一种晶体管，其特征在于，采用如权利要求1至7中任一项所述的晶体管的离子注入方法制备而成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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