[发明专利]一种单晶硅的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体产品制造技术领域，特别是涉及一种单晶硅的制作方法。

背景技术

区熔单晶硅是电子信息材料中的一种基础材料，具有纯度高和电阻率高的优点，被广泛应用于硅整流器(SR)、可控硅(SCR)、巨型晶体管(GTR)、晶闸管(GTO)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、高压二极管(PIN)、红外探测器、电力电子器件等领域。目前国内已经能够稳定生产多种尺寸和规格的区熔单晶硅，单晶拉制之前需要对其进行整形，会产生一些剩余原料，而且一支区熔单晶硅生产出来之后，需要切除其头部和尾部部分，这些头尾料和剩余原料都不能算作合格重量之内，综合来说，产品的最终合格率可达60%，而剩余的大约30%的头尾料和剩余原料则未能得到有效利用，这就造成生产成本居高不下。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种单晶硅的制作方法，能够充分的利用头尾料和剩余原料生产出合格的区熔单晶产品，从而能够降低生产成本。

本发明提供的一种单晶硅的制作方法，包括：

选取区熔单晶硅的头尾料和剩余原料，并粉碎成块状料；

将所述块状料进行酸腐蚀、清洗和烘干；

利用直拉法将所述块状料拉制成多晶棒；

将所述多晶棒进行加工和清洗；

利用区熔法将所述多晶棒拉制成区熔单晶硅。

优选的，在上述单晶硅的制作方法中，所述选取区熔单晶硅的头尾料和剩余原料为：选取纯度为99.999999999%以上且电阻率为500Ω·cm以上的驱动单晶硅头尾料和剩余原料。

优选的，在上述单晶硅的制作方法中，所述利用直拉法将所述块状料拉制成多晶棒为：利用直拉法将所述块状料拉制成直径范围为100mm至150mm的多晶棒。

优选的，在上述单晶硅的制作方法中，所述将所述块状料拉制成多晶棒为：设置所述多晶棒的拉速范围为1.5mm/min至3mm/min，并设置所述多晶棒的旋转速度范围为4rpm至8rpm，将所述块状料拉制成多晶棒。

优选的，在上述单晶硅的制作方法中，所述利用区熔法将所述多晶棒拉制成区熔单晶硅为：利用区熔法将所述多晶棒拉制成直径范围为80mm至150mm的区熔单晶硅。

优选的，在上述单晶硅的制作方法中，所述将所述多晶棒拉制成区熔单晶硅为：设置所述区熔单晶硅的拉速范围为2mm/min至4mm/min，并设置所述区熔单晶硅的旋转速度范围为10rom至20rpm。

优选的，在上述单晶硅的制作方法中，在所述利用区熔法将所述多晶棒拉制成区熔单晶硅之后，还包括：

降温停炉并取出所述区熔单晶硅。

本发明提供的上述单晶硅的制作方法，由于选取区熔单晶硅的头尾料和剩余原料，并粉碎成块状料；将所述块状料进行酸腐蚀、清洗和烘干；利用直拉法将所述块状料拉制成多晶棒；将所述多晶棒进行加工和清洗；利用区熔法将所述多晶棒拉制成区熔单晶硅，因此能够充分的利用头尾料和剩余原料生产出合格的区熔单晶产品，从而能够降低生产成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种单晶硅的制作方法的示意图。

具体实施方式

本发明的核心思想在于提供一种单晶硅的制作方法，能够充分的利用头尾料和剩余原料生产出合格的区熔单晶产品，从而能够降低生产成本。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本申请实施例提供的一种单晶硅的制作方法如图1所示，图1为本申请实施例提供的一种单晶硅的制作方法的示意图。该方法包括如下步骤：

S1：选取区熔单晶硅的头尾料和剩余原料，并粉碎成块状料；