[发明专利]用于半导体发光器件的框架

说明书

技术领域

本公开总体上涉及一种用于半导体发光器件的框架，并且更具体地，涉及一种用于具有提高的光提取效率的半导体发光器件的框架。

背景技术

该部分提供了与本公开相关的背景信息，所述背景信息不一定是现有技术。除非另有说明，否则要领会的是，在整个说明书中，针对附图中的方向限定了诸如上侧/下侧、上方/下方等这样的方向术语。

图1是示出了现有技术中的半导体发光芯片的示例性实施方式的图。

在该半导体发光芯片中，设置了生长基板10(例如，蓝宝石基板)，并且包括缓冲层20、具有第一导电性的第一半导体层30(例如，n型GaN层)、适于通过电子-空穴复合而产生光的有源层40(例如，INGaN/(In)GaN MQWs)以及具有与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层50(例如，p型GaN层)在内的层按照所提到的顺序沉积在该基板上。然后，在第二半导体层上形成用于电流传播的透光导电膜60，随后在该透光导电膜上形成用作接合焊盘的电极70，并且在第一半导体层30的经蚀刻暴露的部分上形成用作接合焊盘的电极80(例如，Cr/Ni/Au层叠的金属焊盘)。如图1中的这种特定类型的半导体发光芯片被称为横向芯片。在此，生长基板10的侧面在与外部的电连接期间用作安装表面。

图2是示出了在美国专利No.7,262,436中公开的半导体发光芯片的另一示例性实施方式的图。为了方便描述，针对一些部件使用了不同的附图标记。

在该半导体发光芯片中，设置了生长基板10，并且包括具有第一导电性的第一半导体层30、适于通过电子-空穴复合而产生光的有源层40以及具有与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层50在内的层按照所提及的顺序沉积在该基板上。然后，在第二半导体层上形成适于使光朝向生长基板10反射的三层电极膜90、91和92，其中，第一电极膜90可以是反射Ag膜，第二电极膜91可以是Ni扩散阻隔件 (barrier)，而第三电极膜92可以由Au接合层。另外，在第一半导体层30的经蚀刻暴露的部分上形成用作接合焊盘的电极80。在此，电极膜92的侧面在与外部的电连接期间用作安装表面。如图2中的这种特定类型的半导体发光芯片被称为倒装芯片。虽然在图2中所示的倒装芯片的情况下，形成在第一半导体层30上的电极80设置在比形成在第二半导体层上的电极膜90、91和92低的高度水平处，但是电极80可以形成在与这些电极膜相同的高度水平处。在此，相对于生长基板10给出了高度水平。

图3是示出了现有技术中的半导体发光器件100的一个示例性实施方式的图。

半导体发光器件100设置有引线框架110和120、模具130、以及腔140中的垂直型发光芯片150，腔140中填充有包含波长转换材料160的包封构件170。垂直型发光芯片150的下表面直接电连接到引线框架110，而其上表面电连接到引线框架120。从垂直型发光芯片150发出的光的一部分激发波长转换材料160，使得产生不同颜色的光，并且将这两种不同的光混合以产生白光。例如，半导体发光芯片150产生蓝光，而波长转换材料160被激发以产生黄光。然后可以将这些蓝光和黄光混合，以产生白光。虽然使用垂直型发光芯片150来制造图3中所示的半导体发光器件，但是可以使用图1和图2中例示的半导体发光芯片来制造与图3中的半导体发光器件类似的其它类型的半导体发光器件。然而，对于图3中描述的半导体发光器件100，应当在半导体发光芯片150与引线框架110和120之间建立接合状态。具体地，在使用图2中所示的倒装芯片的情况下，很可能由于用于将倒装芯片接合到引线框架110和120的接合材料(例如，焊膏)而导致倒装芯片的光强度损失。此外，由于在用于将半导体发光器件100接合到外部基板(例如，PCB基板、子安装等)的SMT处理期间产生的热，半导体发光芯片150与引线框架110和120之间可能无法建立适当的接合状态。

就此而言，本公开旨在提供一种用于适于接纳半导体发光芯片的半导体发光器件的框架，因此使在半导体发光器件中使用的半导体发光芯片的电极直接接合到外部基板。更具体地，本公开旨在提供一种用于使用倒装芯片的半导体发光器件的框架，其中，在引线框架与倒装芯片之间不需要接合，使得尽管使用了倒装芯片，然而来自倒装芯片的光强度不会出现由于引线框架和倒装芯片之间的接合而导致的损失。

发明内容

技术问题

本公开要解决的问题将在用于实现本发明的具体实施方式的后面部分中进行描述。

技术解决方案

该部分提供了本公开的总体概要，而不是其全部范围或其所有特征的全面公开。