[发明专利]晶圆背面减薄方法

权利要求书

1.一种晶圆背面减薄方法，其特征在于包括：

第一步骤：提供待减薄晶圆；

第二步骤：去除待减薄晶圆背面的损伤层；

第三步骤：对待减薄晶圆背面进行氢离子注入；

第四步骤：使得待减薄晶圆在于大于300℃的温度下进行退火，由此使得注 入到待减薄晶圆背面的氢离子在晶圆中形成气泡，进而导致待减薄晶圆在气泡 处发生分离，以使得硅薄层从待减薄晶圆分离下来；

第五步骤：取走分离下来的硅薄层；

第六步骤：判断待减薄晶圆的厚度是否大于第一预定厚度，而且如果待减 薄晶圆的厚度大于第一预定厚度，则对剩余的待减薄晶圆重复第三步骤至第五 步骤。

2.根据权利要求1所述的晶圆背面减薄方法，其特征在于，如果待减薄晶 圆的厚度不大于第一预定厚度则可以结束处理，则对待减薄晶圆背面进行精密 抛光，直至待减薄晶圆达到第二预定厚度。

3.根据权利要求2所述的晶圆背面减薄方法，其特征在于，第二预定厚度 <50um。

4.根据权利要求1或2所述的晶圆背面减薄方法，其特征在于，使用化学 机械研磨、湿法腐蚀、常压等离子腐蚀ADPE和干式抛光中的一种去除待减薄 晶圆背面的损伤层。

5.根据权利要求1或2所述的晶圆背面减薄方法，其特征在于，去除的损 伤层的厚度为10-100um。

6.根据权利要求1或2所述的晶圆背面减薄方法，其特征在于，氢离子注 入的注入深度介于10-100um之间。

7.根据权利要求1或2所述的晶圆背面减薄方法，其特征在于，氢离子注 入的注入剂量为10¹⁶cm^-2或者大于10¹⁶cm^-2。

8.根据权利要求1或2所述的晶圆背面减薄方法，其特征在于，氢离子注 入的注入温度为常温。

9.根据权利要求1或2所述的晶圆背面减薄方法，其特征在于，第四步骤 的退火温度为400℃。

10.根据权利要求1或2所述的晶圆背面减薄方法，其特征在于，待减薄 晶圆的直径为300mm，待减薄晶圆的厚度为775um。