[发明专利]多晶硅制备之立式炉管及其制备方法在审
| 申请号： | 201610107390.1 | 申请日： | 2016-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN105543955A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 江润峰;孙天拓;陆叶涛 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/14 | 分类号： | C30B28/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 制备 立式 炉管 及其 方法 | ||
1.一种多晶硅制备之立式炉管，其特征在于，所述多晶硅制备之立式炉 管，包括：
壳体，内设多晶硅制备之立式炉管的各功能部件；
外石英管和内石英管，所述外石英管和所述内石英管之间形成气体通路；
具有硅片的晶舟，所述晶舟上设置硅片，所述晶舟并承载在位于所述壳 体内之底部的基座上；
间隔独立设置的第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路，所述第 一进气管路、所述第二进气管路，以及所述第三进气管路之出气口分别位于 所述晶舟的不同高度处；
排气管路，设置在所述壳体之异于所述第一进气管路、第二进气管路、 第三进气管路的一侧之底部。
2.如权利要求1所述的多晶硅制备之立式炉管，其特征在于，所述第一 进气管路、第二进气管路、第三进气管路均为多晶硅制备之反应特气管路。
3.如权利要求2所述的多晶硅制备之立式炉管，其特征在于，所述反应 特气管路内流通之反应特气为硅烷气体。
4.如权利要求1所述的多晶硅制备之立式炉管，其特征在于，所述多晶 硅制备之立式炉管内的温度为550～630℃。
5.如权利要求1所述的多晶硅制备之立式炉管，其特征在于，所述多晶 硅制备之立式炉管内的工艺气压为0.2～1Torr。
6.如权利要求1所述的多晶硅制备之立式炉管，其特征在于，所述第一 进气管路之出气口位于所述晶舟之底部基座高度处，所述第二进气管路之出 气口位于所述晶舟之三分一的高度处，所述第三进气管路之出气口位于所述 晶舟之三分二的高度处。
7.一种如权利要求1所述的多晶硅制备之立式炉管制备多晶硅的方法， 其特征在于，所述多晶硅制备之立式炉管制备多晶硅的方法，包括：
执行步骤S1：将硅片设置在位于所述立式炉管内的晶舟上；
执行步骤S2：在保持所述第一进气管路之反应特气流量不变时，通过调 整所述第二进气管路和所述第三进气管路之反应特气流量，进而改变所述晶 舟之不同位置处的反应特气浓度。
8.如权利要求7所述多晶硅制备之立式炉管制备多晶硅的方法，其特征 在于，所述晶舟之不同位置处的反应特气浓度均匀。
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