[发明专利]基于多通道主控的多CENANDFlash动态块模型及坏块处理方法有效
| 申请号： | 201610104858.1 | 申请日： | 2016-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN105786407B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 黄雪峰;马翼;田达海;彭鹏;杨万云;向平;周士兵 | 申请（专利权）人： | 湖南国科微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司43113 | 代理人： | 卢宏,王娟 |
| 地址： | 410131 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 通道 主控 ce nand flash 动态 模型 处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于多通道主控的多CE NAND Flash动态块模型，其特征在于，包括多个通道、多个LBT块模型，每个通道包括多个片选通道；每个LBT块模型包括多个物理块；多个LBT块模型排列为多行；每个片选通道对应一列物理块，且该列物理块为多个LBT块模型相同位置的物理块；当第n-1个通道的第i-1个片选通道在第m-1个LBT块模型中出现坏块的时候，将第n个通道的第i个片选通道在第m个LBT块模型中的非坏块向上移动到第n-1个通道的第i-1个片选通道的第m-1个LBT块模型中，保证第m-1个LBT块模型的完整性，依此类推，继续处理其余坏块，直至处理完所有的坏块；对于最后一个LBT块模型中剩余的物理块，若满足容量优先，则将该剩余的物理块集合起来建立一个新的静态块模型；若满足性能优先，则对于剩余的物理块，搁置不用。
2.根据权利要求1所述的基于多通道主控的多CE NAND Flash动态块模型，其特征在于，处理完所有坏块的判断标准为：LBT块模型个数的最大值LBT_max=PB_max-PB_bad；其中，PB_max为一个片选通道下的物理块的最大数量，PB_bad为该片选通道下的坏块个数。
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