[发明专利]一种用于CSP共晶焊接的压合装置在审
申请号: | 201610103728.6 | 申请日: | 2016-02-26 |
公开(公告)号: | CN105575858A | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
发明(设计)人: | 贾辰宇;孙智江 | 申请(专利权)人: | 海迪科(南通)光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B23K37/04 |
代理公司: | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人: | 滑春生 |
地址: | 226500 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 csp 焊接 装置 | ||
技术领域
本发明属于半导体器件技术领域,特别涉及一种用于CSP共晶焊接的压合装置。
背景技术
CSP封装,即芯粒级封装是近几年发展起来的封装形式,目前已有上百种产品,并且不断出现一些新的产品。尽管如此,国内CSP技术还是处于初级阶段,没有形成统一的标准。现今市场上的CSP产品中芯粒焊盘与封装基片焊盘的连接方式大多采用倒装片键合,封装基板也采用几十年前的陶瓷基板。但是把硅芯粒安装到陶瓷基板上之后,由于陶瓷基板与PCB基板的热膨胀系数不匹配、差别太大,很难将陶瓷基板安置到PCB基板上。
为了解决上述问题,一般主要通过共晶的方法把芯粒连接在基板上,即在基板上点上膏状共晶焊料,再将若干芯粒置于基板的设定位置上,然后在一定的温度和压力下,使芯粒与共晶焊料发生共晶反应,进而使芯粒和基板结合在一起。
虽然共晶工艺能显著提高芯粒的可靠性,然而,共晶工序也存在一定的缺陷:1.现有的共晶方法需将芯粒与基板一一压合,从而使得共晶时间较长;2.芯粒和基板的结合力问题,致使共晶工艺的结合力不够,共晶精度不精确及CSP成品的性能低。
因此,研发一种能够减短芯粒共晶时间,却能够提高芯粒共晶精度及CSP成品的性能的用于CSP共晶焊接的压合装置是非常有必要的。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种能够减短芯粒共晶时间,却能够提高芯粒共晶精度及CSP成品的性能的用于CSP共晶焊接的压合装置。
为解决上述技术问题,本发明的技术方案为:一种用于CSP共晶焊接的压合装置,所述压合装置包括一压板,在所述压板的下表面均匀分布有垂直向下的T型探针,其创新点在于:所述压板上均匀分布有若干个与T型探针一一对应的圆孔,在所述圆孔内设有横截面为T型的套筒,且套筒的内腔开有一贯穿的通孔;在所述套筒的上端设有调节装置,该调节装置包括调节手轮和调节杆,且调节杆的下端插入套筒的通孔内,并与通孔螺纹连接;在所述套筒的下端设有T型探针,且T型探针的上端插入套筒的通孔内,且在所述调节装置和T型探针之间连有缓冲弹簧;在所述套筒的底端还连有一限位套,所述限位套为圆柱形的罩筒,其底端带有端盖,且端盖中心设有一中心孔,该中心孔的内径与T型探针的下端外径相同。
本发明的优点在于:本发明用于CSP共晶焊接的压合装置,该压合装置利用探针的下端点触芯片,并通过调节装置控制探针下压的距离即压合压力,同时,压合装置中设有的缓冲弹簧,能够防止因为推力过大而对芯片造成损坏,这种装置既保证了芯片共晶精度,也保证了CSP成品的合格率,进而提高了CSP成品的性能;且这种压合装置,能够同时将芯粒与基板压合,进而能够大大缩短共晶时间。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
图1是本发明用于CSP共晶焊接的压合装置的结构示意图。
具体实施方式
下面的实施例可以使本专业的技术人员更全面地理解本发明,但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。
实施例
本实施例用于CSP共晶焊接的压合装置,该压合装置包括一压板1,且在压板1的下表面均匀分布有垂直向下的T型探针4,压板1上均匀分布有若干个与T型探针4一一对应的圆孔,在圆孔内设有横截面为T型的套筒2,且套筒2的内腔开有一贯穿的通孔;
在套筒2的上端设有调节装置3,该调节装置3包括调节手轮和调节杆,且调节杆的下端插入套筒2的通孔内,并与通孔螺纹连接;
在套筒2的下端设有T型探针4,且T型探针4的上端插入套筒2的通孔内,且在调节装置3和T型探针4之间连有缓冲弹簧5;
在套筒2的底端还连有一限位套6,该限位套6为圆柱形的罩筒,其底端带有端盖,且端盖中心设有一中心孔,该中心孔的内径与T型探针4的下端外径相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造