[发明专利]一种高介电系数聚酰亚胺薄膜

权利要求书

1.一种高介电系数聚酰亚胺薄膜，其特征在于，以二酸酐单体和二胺单体缩聚得到的聚酰亚胺为基体，并掺杂富勒烯，青金石粉和纳米蒙脱土，其中富勒烯在薄膜中的重量百分比为1-3％，青金石粉在薄膜中的重量百分比为0-3％，纳米蒙脱土在薄膜中的重量百分比为0-3％；青金石粉和纳米蒙脱土的含量不同时为0；

所述聚酰亚胺薄膜还包括氧化镧，硫酸镧，氧化锆，氧化铈，钪金属粉，钇金属粉，镧金属粉中的一种或一种以上。

2.根据权利要求1所述的高介电系数聚酰亚胺薄膜，其特征在于，所述二胺单体为间苯二胺，4,4’-二氨基二苯醚，3,3’-二甲基联苯胺，2,5-二氨基甲苯，4,4’-二氨基二苯甲酮或2,4-二氨基-6-氯甲苯。

3.根据权利要求1所述的高介电系数聚酰亚胺薄膜，其特征在于，所述二酸酐单体为3，3’，4，4’-二苯酮四羧酸二酐，六氟二酐，均苯四甲酸二酐，3，3’，4，4’-联苯四羧酸二酐，2，2’，3，3’-联苯四羧酸二酐，1，4，5，8-萘四羧酸二酐，1，2，5，6-萘四羧酸二酐，菲-1，8，9，10-四羧酸二酐或苯-1，2，3，4-四羧酸二酐。

4.权利要求1所述高介电系数聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，按照如下步骤进行：

(1)将富勒烯、青金石粉、纳米蒙脱土与氧化镧，硫酸镧，氧化锆，氧化铈，钪金属粉，钇金属粉，镧金属粉中的一种或一种以上分散在有机溶剂中，超声分散6-8小时，有机溶剂的加入量为上述物质总质量的2-15倍，制成分散液；

(2)在30-80℃条件下，将二胺单体和二酸酐单体加入上述分散液中，混合均匀，反应12-24小时，制成浆料；

(3)将上述浆料在光滑板材表面涂出厚度均匀的薄膜，待溶剂挥发殆尽，在140-180℃环境下亚胺化3-8小时，得到高介电系数聚酰亚胺薄膜。

5.权利要求4所述高介电系数聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂为N^，N-二甲基乙酰胺，N^，N-二甲基甲酰胺或N-甲基吡咯烷酮。