[发明专利]高纯度高密度MoO2层片状纳米结构的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610102048.2 申请日: 2016-02-24
公开(公告)号: CN105543972B 公开(公告)日: 2018-03-27
发明(设计)人: 李汉青;彭志坚;钱静雯;申振广;符秀丽 申请(专利权)人: 中国地质大学(北京)
主分类号: C30B29/46 分类号: C30B29/46;C30B29/64;C30B25/00;B82Y40/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 纯度 高密度 moo sub 片状 纳米 结构 制备 方法
【权利要求书】:

1.高纯度、高密度MoO2层片状纳米结构的制备方法,其特征在于,所述纳米结构为层片状MoO2晶体;所述方法通过热蒸发MoO3粉与硫粉,在基片上沉积得到MoO2层片状纳米结构,包括以下步骤和内容:

(1)在双温区真空管式炉中,将分别装有MoO3粉和S粉的氧化铝陶瓷坩埚、或者装有MoO3粉和S混合粉的氧化铝陶瓷坩埚放置在高温加热区炉中央区域,在其气流下游10-40cm处的低温加热区放置基片;

(2)在加热前,先用真空泵对整个系统抽真空至0.05Pa以下,然后向系统中通入高纯惰性载气,并重复多次,以排除系统中的残余氧气;然后将高温加热区以10-35℃/min速率升温到800-1000℃,将低温加热区以10-40℃/min速率升温到400-650℃,保温1-4小时;在加热过程中,在真空系统持续工作的前提下通入载气并保持载气流量为50-300标准立方厘米每分钟,且整个加热过程在惰性载气保护下完成,最后自然降温到室温,即可在基片上得到高纯度的MoO2层片状纳米结构。

2.按照权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中在双温区真空管式炉中,将分别装有分析纯MoO3粉和S粉的氧化铝陶瓷坩埚放置在高温加热区炉中央区域时,将装有MoO3粉的氧化铝陶瓷坩埚放置在炉的中央温度最高的加热区域,在其气流上游或者下游距离装有MoO3粉的坩埚3-5cm处温度较低的区域放置装有S粉的氧化铝陶瓷坩埚;将装有MoO3粉和S混合粉的氧化铝陶瓷坩埚放置在高温加热区炉中央区域时,其中MoO3粉和S粉的质量比控制在1:1到1:12之间;在其气流下游10-40cm处的低温加热区放置基片,所用的基片为硅片、砷化镓单晶片、SiC单晶片、高金属掺杂硅片、金箔、银箔、铂箔之中的一种;所述步骤(2)中高温加热区以10-35℃/min速率升温到800-1000℃,低温加热区以10-40℃/min速率升温到400-650℃,保温1-4小时;所用的高纯惰性载气为氩气、氮气之中的一种,纯度在99.99vol.%以上,流量为50-300标准立方厘米每分钟。

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