[发明专利]图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

叠层衬底，所述叠层衬底包括：底层衬底；位于底层衬底表面的埋氧层；位于埋氧层表面的顶层衬底，所述叠层衬底包括像素区和位于所述像素区外围的吸收区；

位于所述像素区的半导体器件单元；

位于吸收区叠层衬底中的吸收结构，所述吸收结构包括吸收层，所述吸收层包括多晶层;

所述吸收层还包括：位于多晶层表面的覆盖层；所述吸收结构为由多层不同的吸收层形成的叠层结构；所述吸收结构中，由多晶层和位于多晶层表面的覆盖层形成的吸收层为第一吸收层，仅由多晶层形成的吸收层为第二吸收层；

所述覆盖层的厚度为10埃～100埃；所述多晶层的厚度为100埃～1000埃。

2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述多晶层的材料为多晶硅；所述覆盖层的材料为氧化硅。

3.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述吸收层平行于衬底表面的截面为环绕所述像素区的环形。

4.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述吸收结构与所述埋氧层接触。

5.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述叠层衬底为绝缘体上硅衬底；所述顶层衬底和底层衬底的材料为硅；所述埋氧层的材料为氧化硅；

或者所述叠层衬底为绝缘体上锗衬底；所述顶层衬底和底层衬底的材料为锗；所述埋氧层的材料为氧化锗。

6.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供叠层衬底，所述叠层衬底包括：底层衬底；位于底层衬底表面的埋氧层；位于埋氧层表面的顶层衬底，所述叠层衬底包括：像素区和位于所述像素区外围的吸收区；

刻蚀所述吸收区叠层衬底，形成凹槽；

在所述凹槽中形成吸收结构，所述吸收结构包括吸收层，所述吸收层包括：多晶层；

所述吸收层还包括：位于多晶层表面的覆盖层；所述吸收结构为由多层不同的吸收层形成的叠层结构；所述吸收结构中，由多晶层和位于多晶层表面的覆盖层形成的吸收层为第一吸收层，仅由多晶层形成的吸收层为第二吸收层；

所述覆盖层的厚度为10埃～100埃；所述多晶层的厚度为100埃～1000埃。

7.如权利要求6所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，

形成所述吸收层的步骤包括：在所述凹槽底部和侧壁表面形成多晶层；在所述多晶层表面形成覆盖层；

刻蚀所述吸收区叠层衬底，形成凹槽的步骤中刻蚀至暴露出所述埋氧层。