[发明专利]一种片上随机存取存储器内建自测试方法和装置有效
申请号: | 201610099762.0 | 申请日: | 2016-02-23 |
公开(公告)号: | CN105760268B | 公开(公告)日: | 2018-10-09 |
发明(设计)人: | 王震;张祥杉 | 申请(专利权)人: | 大唐微电子技术有限公司;大唐半导体设计有限公司 |
主分类号: | G06F11/267 | 分类号: | G06F11/267;G06F11/22 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 韩辉峰;李丹 |
地址: | 100094*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 随机存取存储器 测试 方法 装置 | ||
1.一种片上随机存取存储器RAM内建自测试BIST方法,其特征在于,包括:
预先设置写入功能模式和测试功能模式,所述写入功能模式包括指令和结束标志,所述测试功能模式包括指令、测试起始地址和结束标志;所述写入功能模式是在Rom和Flash损坏时,通过输入/输出接口指定的;所述写入功能模式中的指令与损坏的Rom和Flash中指令的功能相同;
当RAM BIST模块接收到写入功能模式时,RAM BIST模块将自身切换为RAM写入程序状态,并将写入功能模式中的指令写入RAM,CPU将取值地址映射到对应的RAM,并根据所述取值地址读取指令;
所述测试起始地址为20bits命令字,当RAM BIST模块接收到测试功能模式时,基于March LR算法,通过设置所述20bits命令字对所述测试起始地址进行配置,以从所述测试起始地址开始在RAM执行指令进行测试,并输出测试结果。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述写入功能模式中的指令为8bits命令字,结束标志为1bit低电平;
所述方法还包括:所述写入功能模式在测试时钟下降沿发数据,RAM BIST模块在所述测试时钟上升沿采样数据,对写入功能模式硬件译码,执行指令功能。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述测试功能模式中的指令为8bits命令字,结束标志为1bit低电平;
所述测试功能模式在测试时钟下降沿发数据,RAM BIST模块在所述测试时钟上升沿采样数据,对测试功能模式硬件译码,执行指令功能。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述当RAM BIST模块接收到写入功能模式时,RAM BIST模块将自身切换为RAM写入程序状态,并将写入功能模式中的指令写入RAM,CPU将取值地址映射到对应的RAM,并根据所述取值地址读取指令,具体为:
当RAM BIST模块通过I/O接口接收到写入功能模式时,RAM BIST模块将自身切换为RAM写入程序状态,对写入功能模式硬件译码,译码正确后,RAM选择使能,RAM写请求信号有效,RAM BIST模块从取值地址开始,将指令从DIN写入RAM;
在写入RAM完成后,CPU将取值地址映射到对应的RAM,系统复位,RAM选择使能,RAM写请求信号有效,CPU从取值地址开始,从DOUT读取指令。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述当RAM BIST模块接收到测试功能模式时,基于March LR算法,通过设置所述20bits命令字对所述测试起始地址进行配置,以从所述测试起始地址开始在RAM执行指令进行测试,并输出测试结果具体为:
当RAM BIST模块接收到测试功能模式时,获取测试功能模式中的指令、测试起始地址和结束标志,RAM选择使能,基于March LR算法,从测试起始地址开始在RAM执行指令进行测试;
如果在测试过程中未检测到错误,等待测试完成后,输出正确测试结果,所述正确测试结果包括正确标志;
如果在测试过程中检测到错误,等待测试完成后,输出错误测试结果,所述错误测试结果包括错误标志和错误地址。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:对于片上不同数据宽度、容量的RAM进行并行测试。
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