[发明专利]具有新型量子阱的发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201610098456.5 | 申请日： | 2016-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN105609601B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 孙玉芹;董彬忠;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 新型 量子 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有新型量子阱的发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括：衬底，以及依次覆盖在所述衬底上的u型GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层和P型GaN载流子层，所述多量子阱有源层包括交替生长的M+N个量子阱层和M+N个量子垒层，所述量子阱层为InGaN阱层，所述量子垒层为GaN垒层；
其特征在于，所述M+N个量子阱层中靠近所述N型GaN层的M个所述量子阱层的厚度逐渐变化，且在所述M+N个量子阱层中靠近所述N型GaN层的M个所述量子阱层中，靠近所述N型GaN层的量子阱层的厚度大于靠近所述P型GaN载流子层的量子阱层的厚度，所述M+N个量子阱层中靠近所述P型GaN载流子层的N个所述量子阱层的厚度均小于所述M个所述量子阱层的厚度，M和N均为大于1的正整数，且M与N的差值为0，
所述M+N为6，靠近所述N型GaN层的3个所述量子阱层的厚度分别为d1、d2和d3，4.5nm≤d1≤6nm，4nm≤d2≤4.4nm，3.5nm≤d3≤4nm。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述N个所述量子阱层的厚度相等。
3.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述N个所述量子阱层的厚度均为D，2.5nm≤D≤3.4nm。
4.一种具有新型量子阱的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长u型GaN层和N型GaN层；
在所述N型GaN层上生长多量子阱有源层，在所述多量子阱有源层上生长P型GaN载流子层；
所述多量子阱有源层包括交替生长的M+N个量子阱层和M+N个量子垒层，所述量子阱层为InGaN阱层，所述量子垒层为GaN垒层，所述M+N个量子阱层中靠近所述N型GaN层的M个所述量子阱层的厚度逐渐变化，且在所述M+N个量子阱层中靠近所述N型GaN层的M个所述量子阱层中，靠近所述N型GaN层的量子阱层的厚度大于靠近所述P型GaN载流子层的量子阱层的厚度，所述M+N个量子阱层中靠近所述P型GaN载流子层的N个所述量子阱层的厚度均小于所述M个所述量子阱层的厚度，M和N均为大于1的正整数，且M与N的差值为0，所述M+N为6，靠近所述N型GaN层的3个所述量子阱层的厚度分别为d1、d2和d3，4.5nm≤d1≤6nm，4nm≤d2≤4.4nm，3.5nm≤d3≤4nm。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述N个所述量子阱层的厚度相等。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述N个所述量子阱层的厚度均为D，2.5nm≤D≤3.4nm。
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