[发明专利]阵列基板、显示面板以及液晶显示装置

说明书

本发明公开了一种阵列基板，包括第一存储电容和第二存储电容，所述第一存储电容和所述第二存储电容并联形成所述阵列基板的总存储电容，从而增加了所述阵列基板的总存储电容，使所述阵列基板避免了因总存储电容过小而导致的交叉串扰、影像残留等问题，提高了所述阵列基板的品质。本发明还公开了一种应用所述阵列基板的显示面板以及一种应用所述阵列基板的液晶显示装置。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、一种应用所述阵列基板的显示面板以及一种应用所述阵列基板的液晶显示装置。

背景技术

随着TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)液晶显示技术的不断发展，具备功耗低、分辨率高、反应速度快以及开口率高等特点的基于LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅)技术的TFT显示装置逐渐成为主流，已被广泛应用于各种电子设备，如液晶电视、智能手机、平板电脑以及数码相机等数字电子设备中。

但是，在基于移动显示技术向更高画质、更高精细程度、更轻薄和更低功耗发展，随着解析程度越来越高，产品的开口率会变得更小，同时像素的存储电容Cst(由像素电极、公共电极以及夹在其中的钝化层构成)在逐渐变小、每个像素的充电时间在也逐渐减小。在现有工艺条件下，为满足光学品味以及穿透率的需求，存储电容Cst的厚度以及像素电极的面积很难做出变化。在这种情况下，传统存储电容Cst的大小难以得到提升，每个存储电容的电量将不能维持该像素的正常工作电压，进而造成一些诸如交叉串扰(crosstalk)，影像残留(Image Sticking)等问题，极大地降低了阵列基板或显示面板的品质。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板，用以解决现有技术中存在的因存储电容较小所导致的阵列基板品质较低的技术问题。

另外，还提供一种应用所述阵列基板的显示面板。

此外，还提供一种应用所述阵列基板的液晶显示装置。

为了实现上述目的，本发明实施方式采用如下技术方案：

一方面，提供一种阵列基板，包括：

基板；

形成在所述基板上的第一公共电极；

覆盖所述第一公共电极的缓冲层；

形成在所述缓冲层背离所述第一公共电极的表面上的有源层，所述有源层包括与所述第一公共电极相对设置的第一部分，所述第一公共电极、所述第一部分以及夹在所述第一公共电极及所述第一部分之间的所述缓冲层构成第一存储电容；

覆盖所述有源层的栅极绝缘层；

形成在所述栅极绝缘层背离所述有源层的表面上的介质层，所述栅极绝缘层与所述介质层上共同开设第一孔，所述第一孔用于显露部分所述第一部分；

形成在所述介质层背离所述栅极绝缘层的表面上的漏区，所述漏区通过所述第一孔连接至所述第一部分；

覆盖所述漏区的平坦层，所述平坦层开设用于暴露部分所述漏区的第二孔；以及

依次层叠形成在所述平坦层上的第二公共电极、钝化层和像素电极，所述第二公共电极、所述像素电极以及夹在所述像素电极与所述第二公共电极之间的所述钝化层构成第二存储电容，所述像素电极通过所述第二孔连接至所述漏区。

其中，所述有源层还包括与所述第一部分相连的第二部分，所述阵列基板包括栅区，所述栅区形成在所述栅极绝缘层与所述介质层之间，且所述栅区正对所述第二部分设置。

其中，所述阵列基板还包括形成在所述基板上的遮光层，所述遮光层与所述第一公共电极同层且间隔设置，所述遮光层与所述栅区相对设置。