[发明专利]精密加工背接触式太阳能电池成电池芯片及电极引出方法

权利要求书

1.精密加工背接触式太阳能电池成电池芯片，其结构由位于基片的背光面上n+区和p+区的正负电极构成，包括间隔排列的相异极栅，其技术特征在于晶圆基片中心区域的每个电池芯片的电极引出端，在所说的电极引出端的相异极性栅线上还覆盖防止短路的绝缘层和汇集栅线电流的栅线汇流导电层，还包括晶圆基片边缘区域的每个电池芯片自身的电极引出端；以上所说的每个芯片的正负电极由高精度激光机或砂轮机切割形成独立的相异极性的输出电极；以上所说的导电层是覆盖在未覆盖绝缘层的相异极性栅线上。

2.根据权利要求1所述的精密加工背接触式太阳能电池成电池芯片，其特征在于所述的正负电极引出端的导电层是一种可焊电极引出线的可焊导电层或是一种免焊接电极引出线的导电层。

3.根据权利要求2所述的精密加工背接触式太阳能电池成电池芯片，其特征在于所述芯片的正负电极引出端为免焊接正负电极引出端的免焊层，该免焊层上还分布一层导电可焊层。

4.根据权利要求2所述的精密加工背接触式太阳能电池成电池芯片，其特征在于所说的一种可焊电极引出线的导电层是一种导电金属型材，包括带导电胶层的铜带、铝带、镀锡铜带。

5.根据权利要求2所述的精密加工背接触式太阳能电池成电池芯片，其特征在于所说的可焊接电极引出线的导电层，主要包括由铜浆、银浆、锡膏材料制成的。

6.根据权利要求1所述的精密加工背接触式太阳能电池成电池芯片，其特征在于所述的相异极性栅线上分别覆盖的绝缘层是一层绝缘油墨，以防相异性栅线间导电层错位。

7.精密加工背接触式太阳能电池成电池芯片的制造方法，包括位于晶圆基片的背光面上n+区和p+区的正负电极，其间隔排列的相异极栅，其技术特征在于采用栅线绝缘涂层网版，掩膜丝网印刷工艺，把绝缘层浆料丝印到晶圆基片的背光面形成拟切割出的每个芯片的正负电极引出端的相异极性栅线绝缘层；

在制备好绝缘层的基片上丝印、固化形成栅线汇流导电层；

所说的每个芯片的正负电极由高精度激光机或砂轮机切割形成。

8.根据权利要求7所述精密加工背接触式太阳能电池成电池芯片的制造方法，其技术特征在于以上所说芯片的正负电极是按每个小电池芯片的切割位置切割形成的带独立正负极输出电极的背接触式小型电池芯片。

9.根据权利要求7所述的精密加工背接触式太阳能电池成电池芯片的制造方法，其技术特征在于所说的芯片的正负电极引出的导电层，采用栅线汇流导电层网版，掩膜丝网印刷工艺；如导电层浆料用低温锡膏作为导电层浆料，采用0.1～0.2mm厚的钢板网丝印。

10.根据权利要求7所述的精密加工背接触式太阳能电池成电池芯片的制造方法，其技术特征在于所说的芯片的正负电极引出的导电层为低温锡膏，采用回流炉固化，中心固化温度为130～170℃。

11.根据权利要求9所述的精密加工背接触式太阳能电池成电池芯片的制造方法，其技术特征在于所说的导电层采用导电型材用热压设备或静压设备制成正负电极引出端的栅线汇流导电层。

12.根据权利要求11所述的精密加工背接触式太阳能电池成电池芯片的制造方法，其技术特征在于所说的导电型材是贴合到已制备好绝缘层的基片上拟切割出每个芯片的正负电极引出端的相应位置。

13.根据权利要求7所述的精密加工背接触式太阳能电池成电池芯片的制造方法，其技术特征在于所说电极汇流导电层为免焊材料制成的，则在其表面上按每个电池芯片的正负引出电极位置和焊盘尺寸，再丝印包括可焊铜浆、银浆、锡膏在内的可焊电极层。

14.根据权利要求7所述的精密加工背接触式太阳能电池成电池芯片的制造方法，其技术特征在于所说每个芯片的正负电极引出端，其引出端的导电层为免焊接材料，在其表面按照每个芯片的正负引出电极位置和焊盘尺寸再丝印一层可焊电极层。

15.根据权利要求7所述的精密加工背接触式太阳能电池成电池芯片的制造方法，其技术特征在于所说每个芯片，在其正负电极引出端用电烙铁焊接线串联成电池芯片组件或串并联组件。