[发明专利]龙泉青瓷烧制用天然气梭式窑及相应的富氧天然气燃烧法在审
| 申请号： | 201610096754.0 | 申请日： | 2016-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN105674270A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 梅红玲;梅丽玲;周方武;郭兴忠;杨辉 | 申请（专利权）人： | 浙江天丰陶瓷有限公司 |
| 主分类号： | F23D14/58 | 分类号： | F23D14/58;F23D14/66;F23L7/00 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人： | 金祺 |
| 地址： | 323707 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 龙泉 青瓷 烧制 天然气 梭式窑 相应 燃烧 | ||
【权利要求书】：
1.龙泉青瓷烧制用天然气梭式窑，梭式窑(1)包含气体喷枪(2)，该气体喷枪(2) 的喷口位于梭式窑(1)内；其特征是：
在梭式窑(1)相对应的两个侧面交叉对喷的设置气体喷枪(2)，位于梭式窑(1)同一 侧面的气体喷枪(2)位于同一个水平面上，相对应两个侧面的气体喷枪(2)分别位于高低 两个水平面上，高低两个水平面之间的高度差h1为整个梭式窑内腔高度的1/3～1/2；从而实现 高低错落的交叉对喷。
2.据权利要求1所述的龙泉青瓷烧制用天然气梭式窑，其特征是：
位于梭式窑(1)同一侧面的相邻的气体喷枪(2)之间的间距L为500～700mm。
3.据权利要求1或2所述的龙泉青瓷烧制用天然气梭式窑，其特征是：
位于低水平面上的气体喷枪(2)的喷口距离梭式窑底部(11)的距离h2为整个梭式窑 (1)内腔高度的1/4～1/3。
4.利用权利要求1、2或3所述的龙泉青瓷烧制用天然气梭式窑进行的富氧天然气燃烧法， 将待烧制的胚体置于梭式窑(1)的腔体中，其特征是：
在天然气中加入纯氧进行混合，得富氧天然气，所述富氧天然气中氧气的体积浓度为20％ ～24％；将该富氧天然气预热至500～800℃；预热后的富氧天然气从气体喷枪(2)中喷入梭 式窑(1)的腔体中。
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