[发明专利]一种制备石墨烯、六角氮化硼等薄膜材料的化学气相沉积装置在审
申请号: | 201610096667.5 | 申请日: | 2016-02-23 |
公开(公告)号: | CN107099782A | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | 董国材;张祥;唐琪雯 | 申请(专利权)人: | 常州国成新材料科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/34;C23C16/44 |
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地址: | 213149 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 石墨 六角 氮化 薄膜 材料 化学 沉积 装置 | ||
1.一种制备石墨烯、六角氮化硼等薄膜材料的化学气相沉积装置,其特征在于,所述装置包括两个独立的真空腔体——主腔体(1)和副腔体(2)、加热装置(3)、测温装置、供气装置、抽气装置、冷凝装置、传动装置(4)、插板阀(5)及硼氮蒸发源(6),其中主腔体(1)用于薄膜材料的制备,副腔体(2)用于硼氮源的洗气。
2.根据权利要求1所述的用于制备石墨烯、六角氮化硼等薄膜材料的化学气相沉积装置,其特征在于:所述的真空腔体A带有冷凝水层,可通过循环冷凝水的方式降低腔壁温度。
3.根据权利要求1所述的用于制备石墨烯、六角氮化硼等薄膜材料的化学气相沉积装置,其特征在于:所述真空腔体B与硼氮蒸发源直接相连接,用于硼氮源的洗气,防止硼氮源经过真空腔体A造成对主腔体的污染。
4.根据权利要求1所述的一种用于制备石墨烯、六角氮化硼等薄膜材料的化学气相沉积装置,其特征在于:所述的加热装置置于真空腔体A中,采用电阻加热的方式。
5.根据权利要求1所述的一种用于制备石墨烯、六角氮化硼等薄膜材料的化学气相沉积装置,其特征在于:所述的测温装置由万用表(7)和K型热电偶(8)组成,其中热电偶直接置于样品(9)表面,可得到薄膜生长过程中的实际温度。
6.根据权利要求1所述的一种用于制备石墨烯、六角氮化硼等薄膜材料的化学气相沉积装置,其特征在于:所述的供气装置包括减压阀(10)、微漏阀(11)、真空计(12)、气源(13),其中气源可供氮气、氢气、氩气、甲烷和乙烯等气体,减压阀连接导气管,导气管连接微漏阀,通过微漏阀的精确调节,气体进入主腔体A。
7.根据权利要求1所述的一种用于制备石墨烯、六角氮化硼等薄膜材料的化学气相沉积装置,其特征在于:所述的抽气装置包括机械泵(14)、分子泵(15),分子泵通过CF接口与副腔体B连接,另一端使用KF接口通过波纹管与机械泵连接。
8.根据权利要求1所述的一种用于制备石墨烯、六角氮化硼等薄膜材料的化学气相沉积装置,其特征在于:所述的冷凝装置由循环水机(16)、过滤装置(17)组成,主要为主腔体A及分子泵降温。
9.根据权利要求1所述的一种用于制备石墨烯、六角氮化硼等薄膜材料的化学气相沉积装置,其特征在于:所述的插板阀(4)可以为手动、气动、或电动插板阀,两面分别通过CF接口与主腔体A和副腔体B相连,实现隔绝与串通两个腔体的功能。
10.根据权利要求1所述的一种用于制备石墨烯、六角氮化硼等薄膜材料的化学气相沉积装置,其特征在于:所述的硼氮蒸发源(5)为帕尔贴制冷器,通过帕尔贴原理实现硼氮源的低温存储和使用,可在数分钟之内快速降温至-10℃,适用于常温下为液体的蒸发温度较低的硼氮源,如环硼氮烷等,硼氮蒸发源通过三通接口可分别通入主腔体A和副腔体B中,流量通过微漏阀调节。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的