[发明专利]用于图形化表面的金锡键合方法

权利要求书

1.一种用于图形化表面的金锡键合方法，其特征在于，所述用于图形化表面的金锡键合方法包括如下步骤：

S1：将目标衬底及晶片叠放于键合机的下加热基板与上加热基板之间，其中，所述晶片的待键合面设有至少一个凹槽；所述目标衬底的待键合面形成有用于金锡共晶键合的第一键合材料层，所述晶片的待键合面形成有用于金锡共晶键合的第二键合材料层；所述第一键合材料层与第二键合材料层中，总的锡质量配比大于20％；

S2：通过所述上加热基板及所述下加热基板对所述晶片及所述目标衬底施加压力，并将所述晶片及所述目标衬底加热到预设温度，使所述晶片与所述目标衬底键合。

2.根据权利要求1所述的用于图形化表面的金锡键合方法，其特征在于：所述第一键合材料层为Sn层，所述第二键合材料层为Au层。

3.根据权利要求1所述的用于图形化表面的金锡键合方法，其特征在于：所述第一键合材料层为包括Au层及Sn层，所述第二键合材料层包括Au层及Sn层。

4.根据权利要求1所述的用于图形化表面的金锡键合方法，其特征在于：所述第一键合材料层及所述第二键合材料层均为AuSn合金层。

5.根据权利要求1所述的用于图形化表面的金锡键合方法，其特征在于：所述第一键合材料层与第二键合材料层中，总的锡质量配比范围是25％～95％。

6.根据权利要求1所述的用于图形化表面的金锡键合方法，其特征在于：所述第一键合材料层与第二键合材料层中，总的锡质量配比范围是30％～50％。

7.根据权利要求1所述的用于图形化表面的金锡键合方法，其特征在于：所述第一键合材料层与第二键合材料层中，总的锡质量配比范围是55％～85％。

8.根据权利要求1所述的用于图形化表面的金锡键合方法，其特征在于：键合之后，由所述第一键合材料层及第二键合材料层熔合的AuSn合金层部分填充进所述凹槽。

9.根据权利要求1所述的用于图形化表面的金锡键合方法，其特征在于：键合之后，由所述第一键合材料层及第二键合材料层熔合的AuSn合金层填充满所述凹槽。

10.根据权利要求1所述的用于图形化表面的金锡键合方法，其特征在于：所述凹槽的位置与切割道相对应。

11.根据权利要求1所述的用于图形化表面的金锡键合方法，其特征在于：所述目标衬底选自Si、Mo及CuMoCu衬底中的任意一种。

12.根据权利要求1所述的用于图形化表面的金锡键合方法，其特征在于：所述晶片包括基片及生长于所述基片上的三五族半导体化合物外延层。

13.根据权利要求12所述的用于图形化表面的金锡键合方法，其特征在于：所述基片选自蓝宝石、Si、SiC及氮化镓衬底中的任意一种。

14.根据权利要求1所述的用于图形化表面的金锡键合方法，其特征在于：所述第一键合材料层及第二键合材料层均采用蒸镀法形成。