[发明专利]晶体硅太阳能电池制造工艺

权利要求书

1.晶体硅太阳能电池制造工艺，其特征在于，所述工艺包括：

步骤1：将硅片进行清洗，然后进行绒面制备；

步骤2：进行扩散前清洗，然后进行磷扩散；

步骤3：进行周边刻蚀，然后去除背结；

步骤4：进行背电极印刷，然后进行正反极印刷；

步骤5：进行减反射膜制备，然后烧结，最后进行测试分档。

2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池制造工艺，其特征在于，在所述步骤1之前还包括：采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片。

3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池制造工艺，其特征在于，所述将硅片进行清洗具体包括：采用超声波对硅片进行清洗，然后用酸（或碱）溶液将硅片表面切割损伤层除去30－50um。

4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池制造工艺，其特征在于，所述进行绒面制备具体为：用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面。

5.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池制造工艺，其特征在于，所述进行磷扩散具体包括：采用涂布源进行扩散，制成PN＋结，结深为0.3－0.5um。

6.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池制造工艺，其特征在于，所述进行周边刻蚀具体为：用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。