[发明专利]SOC芯片漏电流的分档自动测试装置及方法有效

专利信息
申请号: 201610093767.2 申请日: 2016-02-19
公开(公告)号: CN105699877B 公开(公告)日: 2018-05-25
发明(设计)人: 廖裕民;陈丽君 申请(专利权)人: 福州瑞芯微电子股份有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28
代理公司: 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 代理人: 林晓琴
地址: 350000 福建省*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 电流判断单元 扫描控制模块 存储单元 电源域 自动测试装置 场景设置 电路单元 钳位单元 漏电流 线连接 分档 门阀 烧写 有效控制信号 测试 电控制信号 测试阶段 电源开关 连接测试 模式信号 依次连接 电流计 钳位 芯片 记录
【权利要求书】:

1.一种SOC芯片漏电流的分档自动测试装置,所述SOC芯片具有复数个电源域,每个电源域外设有一MTCMOS电源开关环,每个MTCMOS电源开关环外设有一钳位单元环,其特征在于:所述分档自动测试装置包括场景设置存储单元、门阀值存储单元、扫描控制模块、电流判断单元、EFUSE烧写控制单元以及EFUSE电路单元;

所述场景设置存储单元连接扫描控制模块;所述门阀值存储单元连接电流判断单元;

所述扫描控制模块通过钳位有效控制信号线连接每个所述钳位单元环,通过关电控制信号线连接每个所述MTCMOS电源开关环;并通过复位控制信号线连接到对应电源域电路中所有寄存器单元的复位控制端;

所述扫描控制模块还连接测试模式信号及所述电流判断单元;

每个所述钳位单元环均通过一电流计连接所述电流判断单元;

所述电流判断单元、EFUSE烧写控制单元、EFUSE电路单元依次连接;且所述电流判断单元还输出漏电流过高电源域指示位信号。

2.根据权利要求1所述的SOC芯片漏电流的分档自动测试装置,其特征在于:

所述场景设置存储单元存储需要测试的功耗场景个数和每个功耗场景下所有电源域的开关情况;

所述门阀值存储单元存储各个低功耗场景下的漏电流门阀值,当芯片在该功耗场景下的漏电流超过该值,则表示芯片在该低功耗场景下的功耗值超标。

3.根据权利要求1所述的SOC芯片漏电流的分档自动测试装置,其特征在于:所述测试模式信号由CP测试机台控制输入到所述扫描控制模块,当测试模式信号为高电平时开始进行测试。

4.一种SOC芯片漏电流的分档自动测试方法,其特征在于:利用如权利要求1所述的SOC芯片漏电流的分档自动测试装置进行测试,测试过程如下:

(1)对芯片中的所述场景设置存储单元和所述门阀值存储单元进行配置;

(2)所述扫描控制模块在收到测试有效信号后,从场景设置存储单元中读取功耗场景和对应的电源域开关配置,从第一种场景开始测试:

(3)开始测试时,所有电源域的供电都是正常打开的,先将电路的复位控制信号置为有效;

然后将需要关电的电源域对应的钳位有效控制信号置为有效,将对应电源域的边界信号值钳位成固定值;

在钳位控制完成后,再将需要关电的电源域的关电控制信号置为有效,将电源域的MTCMOS电源开关环进行电源关断操作,而其他电源域的供电正常;然后等待一段时间让电流稳定;

之后,电流判断单元会读取各个电源域对应电流计的电流测量值和门阀值存储单元中该功耗场景的功耗门阀值,将每个电源域的电流的累加值与该功耗场景的功耗门阀值进行对比,如果该累加值小于门阀值则表示芯片在该功耗场景下的功耗表现满足产品需求为合格,否则为不合格;

然后,电流判断单元将判断结果通过漏电流过高指示位信号送往芯片外部并同时送往efuse烧写控制单元对efuse电路单元中该功耗场景是否合格的bit位进行烧写,也将测试完成;

(4)回到步骤(3),开始下一个功耗场景的测试,直至所有功耗场景的测试均完成。

5.根据权利要求4所述的SOC芯片漏电流的分档自动测试方法,其特征在于:所述测试模式信号由CP测试机台控制输入到所述扫描控制模块,当测试模式信号为高电平时开始进行测试;在测试过程中,所述CP测试机台会一直观测漏电流过高指示位信号,如果信号一旦变为有效,则表示芯片为不合格品,在CP测试机台上筛除,或通过后期读取对应efuse位进行判断筛除。

6.根据权利要求4所述的SOC芯片漏电流的分档自动测试方法,其特征在于:所述扫描控制模块由状态机电路实现。

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