[发明专利]一种具有高析氧过电位的钛基阳电极及其制备方法在审
| 申请号： | 201610092830.0 | 申请日： | 2016-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN105502595A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 周检 | 申请（专利权）人： | 周检 |
| 主分类号： | C02F1/461 | 分类号： | C02F1/461;C02F1/72;C02F101/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 高析氧 电位 阳电 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有高析氧过电位的钛基阳电极，其特征在于在钛基体上沉积一层Cu掺杂SnO2薄膜；所述的钛基阳电极由外到内分别是Cu掺杂SnO2层和钛基体。
2.一种具有高析氧过电位的钛基阳电极的制备方法，其特征在于该方法如下：将钛基 体作为Cu掺杂SnO2薄膜的支撑材料；对钛基体表面的油渍等有机污染物及二氧化钛膜进行 去除；配制含Sn、Cu的前驱体溶液；将含有Sn、Cu前驱体溶液涂敷在钛基体表面；对涂有前驱 体溶液的钛基体进行加热形成钛基Cu掺SnO2阳电极。
3.如权利要求1所述的一种具有高析氧过电位的钛基阳电极或如权利要求2所述的一 种具有高析氧过电位的钛基阳电极的制备方法，其特征在于钛基体是任意规格的钛金属， 如钛箔、钛板、钛网及钛合金等。
4.如权利要求1所述的一种具有高析氧过电位的钛基阳电极或如权利要求2所述的一 种具有高析氧过电位的钛基阳电极的制备方法，其特征在于钛基体可以是任意几何形状。
5.如权利要求1所述的一种具有高析氧过电位的钛基阳电极或如权利要求2所述的一 种具有高析氧过电位的钛基阳电极的制备方法，其特征在于钛基体加热温度在350-700℃ 范围内，优选550℃。
6.如权利要求1所述的一种具有高析氧过电位的钛基阳电极或如权利要求2所述的一 种具有高析氧过电位的钛基阳电极的制备方法，其特征在于Cu掺杂SnO2薄膜是一切形态的 薄膜。
7.如权利要求1所述的一种具有高析氧过电位的钛基阳电极或如权利要求2所述的一 种具有高析氧过电位的钛基阳电极的制备方法，其特征在于Cu掺杂SnO2薄膜的厚度在1μm 以上。
8.如权利要求1所述的一种具有高析氧过电位的钛基阳电极或如权利要求2所述的一 种具有高析氧过电位的钛基阳电极的制备方法，其特征在于Cu掺杂SnO2薄膜的Cu掺杂浓度 在1%至30%范围内（Cu与Sn的原子比例）。
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