[发明专利]具有防止补偿掺杂的太阳能电池的制造有效
| 申请号： | 201610090150.5 | 申请日： | 2011-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN105489674B | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 蒂莫西·D·丹尼斯;李波;彼得·约翰·卡曾斯 | 申请（专利权）人： | 太阳能公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾丽波;井杰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 防止 补偿 掺杂 太阳能电池 制造 | ||
1.一种太阳能电池结构，包括：
太阳能电池衬底，该太阳能电池衬底包括在正常工作期间朝向太阳以接收太阳辐射的正面，以及与正面相对的背面；
覆盖在太阳能电池衬底背面上的多晶硅层；以及
形成于多晶硅层上的第一掺杂物源和第二掺杂物源，第一和第二掺杂物源包括可印刷印料，第一掺杂物源包括硼磷硅玻璃(BPSG)，
其中第一掺杂物源为N型，第二掺杂物源为P型，所述第一掺杂物源和所述第二掺杂物源配置为分别用于形成所述太阳能电池结构的用于将投射在其上的太阳辐射转换为电能的N型扩散区和P型扩散区。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池结构，还包括覆盖在太阳能电池衬底正面上的纹理化表面。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池结构，其中第二掺杂物源包括硼。
4.一种太阳能电池结构，包括：
太阳能电池衬底，该太阳能电池衬底包括在正常工作期间朝向太阳以接收太阳辐射的正面，以及与正面相对的背面；
覆盖在太阳能电池衬底背面上的多晶硅层；以及
形成于多晶硅层上的第一掺杂物源和第二掺杂物源，第一和第二掺杂物源包括可印刷印料并具有相反的导电类型，第二掺杂物源具有大于3000埃的厚度，
其中第一掺杂物源为N型，第二掺杂物源为P型，所述第一掺杂物源和所述第二掺杂物源配置为分别用于形成所述太阳能电池结构的用于将投射在其上的太阳辐射转换为电能的N型扩散区和P型扩散区。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池结构还包括覆盖在太阳能电池衬底正面上的纹理化表面。
6.根据权利要求4所述的太阳能电池结构，其中第二掺杂物源包括硼。
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
