[发明专利]半导体装置以及半导体模块有效

专利信息
申请号: 201610089977.4 申请日: 2016-02-17
公开(公告)号: CN105679731B 公开(公告)日: 2019-04-16
发明(设计)人: 中村浩之;冈田章;野尻荣治 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L23/482
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 以及 模块
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其具有:

半导体基板,其具有彼此相对的第1主面及第2主面;

元件形成区域,其规定于所述半导体基板的所述第1主面侧;

终端区域,其规定于所述半导体基板的所述第1主面侧,以包围所述元件形成区域的方式而配置;以及

第1主面侧电极,其形成于所述元件形成区域,包含第1电极和第2电极,该第1电极配置有第1区域及第2区域,

所述第1区域和所述第2区域由形成于所述第1电极的表面处的分隔部件进行分隔,

所述第1区域形成为具有长边和与所述长边交叉的短边的矩形状,所述长边沿着在电气评价时与所述第1区域接触的接触探针的前端部的滑动方向,

所述第2区域配置于所述第1区域的所述长边侧。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

所述第2区域的面积设定得比所述第1区域的面积大。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

在所述第2区域的表面形成有识别标记。

4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

所述第1主面侧电极包含作为所述第1电极而形成的栅极电极。

5.根据权利要求4所述的半导体装置,其中,

所述栅极电极配置于与所述终端区域隔开距离的、所述元件形成区域的中央。

6.根据权利要求4所述的半导体装置,其中,

所述栅极电极配置于所述元件形成区域的与所述终端区域相邻的角部。

7.根据权利要求4所述的半导体装置,其中,

所述栅极电极配置于所述元件形成区域的与所述终端区域相邻的位置处。

8.根据权利要求4所述的半导体装置,其中,

所述栅极电极作为所述第1电极而形成,

所述第1区域配置于所述终端区域侧,

所述第2区域隔着所述第1区域而配置于与所述终端区域相反侧。

9.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

所述第1主面侧电极包含作为所述第2电极而形成的发射极电极,

在所述发射极电极配置有多个第3区域,

多个所述第3区域沿第1方向配置,并且在与所述第1方向交叉的第2方向上隔开距离而沿所述第1方向配置。

10.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

具有第2主面侧电极,该第2主面侧电极形成于所述半导体基板的所述第2主面侧。

11.一种半导体模块,该半导体模块应用了权利要求1中所述的半导体装置,其中,

导线与所述第1电极的所述第2区域连接。

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