[发明专利]存储器的制造方法

权利要求书

1.一种存储器的制造方法，包括：

在一基底上形成多个电荷存储结构，其中相邻两个电荷存储结构之间具有一第一沟槽，且该第一沟槽延伸至该基底中；

在该第一沟槽的表面形成一介电衬层；

在该介电衬层上形成一氮化物层；

在该第一沟槽中填入一第一介电层；

在该些电荷存储结构与该第一介电层上形成一第二介电层；

在该第二介电层上形成一导体层；以及

移除该第一介电层，而在相邻两个电荷存储结构之间的该第二介电层下方形成一第一气隙。

2.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其中各该电荷存储结构包括：

电荷存储层，设置在该基底上；以及

穿隧介电层，设置于该电荷存储层与该基底之间。

3.如权利要求2所述的存储器的制造方法，其中在形成该氮化物层之前，还包括：

在该第一沟槽中形成一保护层，且该保护层的顶面高于该穿隧介电层的顶面；

以该保护层为掩模，移除部分该介电衬层，以暴露出部分该电荷存储层；以及

在移除部分该介电衬层之后，移除该保护层。

4.如权利要求2所述的存储器的制造方法，其中该第一介电层的顶面低于该电荷存储层的顶面。

5.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其中该电荷存储层包括浮置栅极。

6.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其中该氮化物层的形成方法包括对该介电衬层进行一氮化制作工艺。

7.如权利要求6所述的存储器的制造方法，其中该氮化制作工艺包括等离子体氮化制作工艺、气体氮化制作工艺、离子氮化制作工艺或真空氮化 制作工艺。

8.如权利要求1所述的存储器的制造方法，还包括对该导体层进行一图案化制作工艺，而形成多条字符线，其中各该字符线的延伸方向与该第一气隙的延伸方向相交。

9.如权利要求8所述的存储器的制造方法，其中该图案化制作工艺还包括移除位于相邻两条字符线之间的该第二介电层与至少部分该电荷存储结构，而在相邻两条字符线之间形成一第二沟槽。

10.如权利要求9所述的存储器的制造方法，还包括在该些字符线上形成一覆盖层，且该覆盖层在该第二沟槽的顶部进行封口，而形成一第二气隙。

11.如权利要求10所述的存储器的制造方法，其中该第二气隙的延伸方向与该第一气隙的延伸方向相交。

12.如权利要求1所述的存储器的制造方法，在形成该第一气隙之后，还包括对该氮化物层进行一氧化制作工艺，而将该氮化物层转变成一氧化物层。

13.如权利要求1所述的存储器的制造方法，其中该第一气隙延伸至该基底中。