[发明专利]半导体设备检漏方法在审
| 申请号： | 201610088129.1 | 申请日： | 2016-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN105529281A | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 张召;王智;苏俊铭;倪立华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体设备 检漏 方法 | ||
1.一种半导体设备检漏方法，其特征在于，包括步骤：
待测晶圆预清洗，并测量其自然氧化层厚度D1；
选定待检半导体设备，并采用所述待检半导体设备进行工艺制程，该工 艺制程在测试气体氛围下进行；
测量待测晶圆制程后自然氧化层厚度D2；
依据待测晶圆工艺制程前后自然氧化层厚度变化量ΔD＝D2-D1，判断所 述待检半导体设备是否存在微漏。
2.根据权利要求1所述的半导体设备检漏方法，其特征在于，所述工 艺制程中，工艺温度、测试气体流量、制程时间参数可调。
3.根据权利要求1所述的半导体设备检漏方法，其特征在于，所述测 试气体为氮气。
4.根据权利要求3所述的半导体设备检漏方法，其特征在于，所述测 试气体的流量为0-500sccm，制程时间为0-12小时，工艺温度为200℃-1000 ℃。
5.根据权利要求3所述的半导体设备检漏方法，其特征在于，所述待 检半导体设备为低压炉管。
6.根据权利要求4或5所述的半导体设备检漏方法，其特征在于，所 述测试气体的流量为0-50sccm，制程时间为4-8小时，工艺温度为400℃-800 ℃。
7.根据权利要求6所述的半导体设备检漏方法，其特征在于，所述待 测晶圆工艺制程前后自然氧化层厚度变化量时，所述待检半导体 设备即有气体泄漏。
8.根据权利要求3所述的半导体设备检漏方法，其特征在于，所述待 检半导体设备为多晶硅机台。
9.根据权利要求4或8所述的半导体设备检漏方法，其特征在于，所 述测试气体的流量为300-450sccm，制程时间为2-3小时，工艺温度为600 ℃-700℃。
10.根据权利要求9所述的半导体设备检漏方法，其特征在于，所述待 测晶圆工艺制程前后自然氧化层厚度变化量时，所述待检半导体 设备即有气体泄漏。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
