[发明专利]一种霍山石斛立体式栽培方法在审

专利信息
申请号: 201610087485.1 申请日: 2016-02-16
公开(公告)号: CN105684704A 公开(公告)日: 2016-06-22
发明(设计)人: 戴亚峰;王诗文;黄跃华;张兴东 申请(专利权)人: 九仙尊霍山石斛股份有限公司
主分类号: A01G1/00 分类号: A01G1/00;A01G31/00
代理公司: 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 代理人: 丁瑞瑞
地址: 237014 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 霍山 石斛 立体 栽培 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及霍山石斛栽培技术领域,尤其涉及一种霍山石斛立体式栽培方 法。

背景技术

霍山石斛(学名:DendrobiumhuoshanenseC.Z.TangetS.J.Cheng)俗称 米斛,是兰科石斛属的草本植物。茎直立,肉质,不分枝,具3-7节,淡黄绿色, 有时带淡紫红色斑点,干后淡黄色。叶革质,2-3枚互生于茎的上部,斜出,舌 状长圆形。总状花序1-3个,从落了叶的老茎上部发出,具1-2朵花;花淡黄绿 色,开展;花瓣卵状长圆形,先端钝,具5条脉;唇瓣近菱形,长和宽约相等。 花期5月。

霍山石斛是中国国家地理标志产品。主产于大别山区的安徽省霍山县,大 多生长在云雾缭绕的悬崖峭壁崖石缝隙间和参天古树上,生于山地林中树干上 和山谷岩石上。霍山石斛能大幅度提高人体内SOD(延缓衰老的主要物质)水 平,对经常熬夜、用脑、烟酒过度,体虚乏力的人群,经常饮用非常适宜。霍 山石斛有明目作用,也能调和阴阳、壮阳补肾、养颜驻容,从而达到保健益寿 的功效。

目前霍山石斛的种植模式主要有地栽模式、架空平面栽培模式、树栽模式、 林下栽培以及盆栽等模式,这些栽培模式空间面积的利用率都相对比较低。

发明内容

本发明针对现有技术的不足,提供一种空间利用率高、降低种植成本、提高成 活率、方便管理、灵活多变的霍山石斛立体式斜面栽培方法。

本发明主要采用下述技术手段解决上述技术问题的:一种霍山石斛立体式 栽培方法,包括以下步骤:

(一)栽培设施的准备;

(二)苗床制作安置;包括以下步骤:

(1)钉制框架;

(2)钉制苗床板,带树皮的边板设置在框架上,并保证树皮朝外;

(三)石斛种苗栽培管理,包括以下步骤:

(1)定植种苗,将准备好的石斛种苗根部舒展开并覆盖上一层青苔,并设 置在苗床边板上;种苗扎根于相邻的边板上,相邻的边板上不种,种苗头朝上 方,浇定根水;

(2)正常管理。

优选地,所述栽培设施的准备包括以下步骤:

(1)选择基地;

(2)整理基地,用挖机将选好的地块整理成平整的方形地块,然后用挖机 在整个基地的外围挖出主排水沟,将基地外围和内部的雨水和灌溉用水集中排 入基地附近的河道里;在基地的南北方向间隔挖出作为整排大棚雨水和灌溉用 水汇聚的排水沟,并与主排水沟相连通;

(3)搭建大棚,在基地上建造钢架大棚,在建造好的钢架大棚顶上覆盖一 层塑料无滴薄膜和遮荫度为70%的遮荫网,遮阳网覆盖在最上边;在两大棚之 间挖一条引流的水沟,水沟与对应的排水沟相连接,且沟深不超过排水沟的沟 深;在两排大棚之间的过道上方用70%的遮阳网遮阳,遮阳网扎到各个棚头上。

优选地,所述主排水沟的宽度为2米、深度为1.5~2米;所述排水沟的宽度 为0.8米、深度为0.5米,且南北方向隔间27米设置;紧邻排水沟东边铺一条 宽1米的水泥路;各水沟的边缘和沟底用小方砖和水泥砌起抹平;所述大棚呈 东西方向搭建;所述大棚的规格为长25米、宽8米、高4米,肩高2米,所述 大棚的一端与排水沟相距20cm,另一端与基地内部道路相连;大棚之间间隔1 米的距离。

优选地,所述步骤(二)中钉制框架,将5cm宽的方木料钉好做成横竖间 隔0.5m宽2m、长5m的网络状框架;钉制苗床板,将宽10cm厚2cm、宽5cm 厚2cm的两种带树皮的长方形边板的长度平行于框架长度方向、并沿着框架的 宽度方向交替设置在框架上;苗床板呈倾斜状设置,将两块苗床板块背靠背, 保证树皮朝外;两块苗床板块上部固定、下部分开呈夹角立于地面上,侧面和 地面呈等腰三角形。

优选地,将做好的苗床按每组苗床横向间隔50cm,纵向间隔1米排放在大 棚内,苗床与大棚边缘留有50cm的道路。

优选地,所述苗床制作安置还包括安装喷灌;喷头悬挂安装在苗床的上方; 将直径2.5cm、长25米的3根塑料水管间隔2米均匀平行的用托木线整齐的悬 挂在苗床上方25cm处;将喷头间隔2米均匀安装到水管上,喷头朝下。

优选地,将石斛种苗根牢牢的钉到苗床的斜面10cm宽的边板上,5cm宽边 板用于种苗扎根,种苗头朝上方,间隔10cm。

优选地,所述正常管理包括以下步骤:

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