[发明专利]一种半导体电热膜的制备方法

权利要求书

1.一种半导体电热膜的制备方法，其特征在于包括下列步骤：

（1）清洗基底：将基底用蒸馏水清洗干净，烘干待用；

（2）配制源溶液：称取下列重量份组分，混合后，加热至40-80℃，搅拌1-2h，即得半导体电热膜源溶液：四氯化锡20-30份，石墨10-30份，三氯化锑10-20份，四氯化钛2-8份，氟硼酸0.6-1.5份，富勒烯0.1-0.8份，氯化钠0.3-0.5份，水1-3份，甲苯2-4份，乙醇30-50份；

（3）喷涂基底：将步骤（1）的基底置于加热腔体内，控制加热腔温度在400-600℃范围内，待基底表面温度达到300-500℃，将步骤（2）中所得的半导体电热膜源溶液雾化喷涂至基底表面；

（4）第一次热处理：将加热腔内的基底加热至600-800℃，优选地，加热至600-700℃，保持1-2h；然后，取出基底，自然冷却至300-450℃，优选地，冷却至350-400℃

（5）浸渍成膜：将经步骤（4）处理的基底浸入步骤（2）所得的半导体电热膜源溶液中，提拉成膜，提拉成膜条件为：50-100mm/min；

（6）第二次热处理：将步骤（5）处理后的基底在900-1000℃下热处理30-60min，自然冷却至室温，获得半导体电热膜。

2.根据权利要求1所述半导体电热膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）配制源溶液的组分由下列组成：四氯化锡20-25份，石墨12-25份，三氯化锑10-15份，四氯化钛4-6份，氟硼酸0.8-1.2份，富勒烯0.2-0.6份，氯化钠0.3-0.5份，水1-3份，甲苯2-4份，乙醇30-50份。

3.根据权利要求1或2所述半导体电热膜的制备方法，其特征在于，步骤（3）中将基底加热至表面温度达到350-450℃，再进行喷涂。

4.根据权利要求1-3所述半导体电热膜的制备方法，其特征在于，步骤（3）喷涂的喷射压力为8~15kpa，喷射流量为3~8ml/s。

5.根据权利要求1-4所述半导体电热膜的制备方法，其特征在于，步骤（4）第一次热处理将加热腔内的基底加热至600-700℃，保持1-2h，然后冷却至350-400℃。

6.根据权利要求1-5所述半导体电热膜的制备方法，其特征在于，所述半导体电热膜的方块电阻为45-400Ω/□，漏电流小于0.1mA，半导体电热膜在基材上的附着力为在190N以上。