[发明专利]结型场效应晶体管有效
| 申请号： | 201610086760.8 | 申请日： | 2016-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN105609568B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.结型场效应晶体管，其特征在于，该结型场效应晶体管的栅极下方有一个以上与沟道导电类型相反的阱埋层；
所述阱埋层位于所述沟道区中，所述阱埋层将所述栅极下方的所述沟道区分成上下几个部分，最后一个所述阱埋层下面的所述沟道区的最下端沟道的宽度大于第一个所述阱埋层和所述栅极之间的所述沟道区的对应的最上端沟道的宽度，所述最下端沟道的宽度大于所述最上端沟道的宽度的结构使得沟道电流向全部从所述最下端沟道中通过趋近以及使通过所述最上端沟道的电流的大小趋于0，从而降低栅极漏电流。
2.根据权利要求1所述的结型场效应晶体管，其特征在于，所述阱埋层位于所述栅极的正下方。
3.根据权利要求1所述的结型场效应晶体管，其特征在于，所述阱埋层的横向尺寸大于等于所述栅极的横向尺寸。
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