[发明专利]采用并行积聚的俘获离子迁移谱仪有效
| 申请号: | 201610082658.0 | 申请日: | 2016-02-05 |
| 公开(公告)号: | CN105869983B | 公开(公告)日: | 2018-04-10 |
| 发明(设计)人: | 梅尔文·安德鲁·帕克;迈克尔·舒伯特 | 申请(专利权)人: | 布鲁克道尔顿有限公司 |
| 主分类号: | H01J49/02 | 分类号: | H01J49/02;H01J49/04 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 顾丽波,井杰 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 采用 并行 积聚 俘获 离子 迁移 | ||
1.一种操作俘获离子迁移谱仪的方法,包括步骤:
(a)在射频离子阱中对来自离子源的离子进行积聚;
(b)将至少一部分积聚的离子转移到俘获离子迁移分离器中,转移的离子将在其中被射频场径向地限定,并被气流推向第一轴向直流电场势垒的上升沿,从而使转移的离子按离子迁移率在空间上沿上升沿分离;以及
(c)在来自离子源的离子进一步在射频离子阱中积聚的同时,通过降低第一轴向直流电场势垒的高度来获得转移的离子的离子迁移谱,
其中,在步骤(a)和步骤(c)期间,离子在轴向上被气流推向第二轴向直流电场势垒的上升沿,其中,第二轴向直流电场势垒的高度被调整为沿第二轴向直流电场势垒的上升沿俘获离子,并按照离子迁移率对离子进行空间分离。
2.根据权利要求1的方法,其中,在所述俘获离子迁移分离器中由四极射频场径向地限定离子。
3.根据权利要求2的方法,其中,离子在线性射频离子阱中积聚。
4.根据权利要求3的方法,其中,通过四极射频场、六极射频场和八极射频场之一径向地限定所述线性射频离子阱中积聚的离子。
5.根据权利要求2的方法,其中,离子在射频漏斗中积聚,其中,将射频漏斗的出口处的电场调节为俘获离子迁移分离器的入口处的四极射频场。
6.根据权利要求1的方法,其中,在步骤(a)和步骤(c)期间,通过对所述射频离子阱的出口电极施加排斥直流电势,在所述射频离子阱的出口处轴向地俘获离子。
7.根据权利要求1的方法,其中,重复步骤(b)和步骤(c)以获得一系列离子迁移谱。
8.根据权利要求7的方法,其中,根据之前的一个或多个离子迁移谱确定作为离子迁移率的函数的离子密度,并通过非常数电场梯度调节第一轴向直流电场势垒的上升沿的电场分布以将步骤(b)和步骤(c)期间在所述俘获离子迁移分离器中的离子损失降至最低。
9.根据权利要求1的方法,其中,从离子源向射频离子阱不停地输送离子。
10.根据权利要求1的方法,其中,在步骤(b)中,通过将第二轴向直流电场势垒反转、关闭或降低其高度,来将离子转移到所述俘获离子迁移分离器中。
11.根据权利要求1的方法,其中,根据之前的一个或多个离子迁移谱确定作为离子迁移率的函数的离子密度,并通过非常数电场梯度调节第二轴向直流电场势垒的上升沿的电场分布以将步骤(a)和步骤(c)期间在所述射频离子阱中的离子损失降至最低。
12.根据权利要求1的方法,其中,在位于所述俘获离子迁移分离器下游的质量分析器中进一步分析转移的离子。
13.根据权利要求1的方法,其中,在位于俘获离子迁移分离器下游的破碎池中破碎转移的离子,然后在质量分析器中分析碎片离子。
14.一种用于采集按离子迁移率分离的离子质谱的系统,包含:
-离子源;
-线性射频离子阱;
-俘获离子迁移分离器,包含用于径向地限定离子的射频场、轴向作用的直流电场势垒和气流,所述直流电场势垒具有逐渐增大的直流电场的上升沿,所述气流对抗所述上升沿处的直流电场;和
-位于俘获离子迁移分离器下游的质量分析器,
其中,所述线性射频离子阱位于所述离子源和所述俘获离子迁移分离器之间,其中,所述线性射频离子阱具有用于对来自离子源的离子进行积聚的第一工作模式,和用于将离子向俘获离子迁移分离器转移的第二工作模式,并且其中,所述线性射频离子阱包含轴向直流电场势垒,所述轴向直流电场势垒具有逐渐增大的轴向直流电场的上升沿。
15.根据权利要求14的系统,其中,所述系统包括射频漏斗,并且其中,所述线性射频离子阱位于所述射频漏斗和所述俘获离子迁移分离器之间或者位于所述射频漏斗的上游。
16.根据权利要求14的系统,其中,所述线性射频离子阱沿公共轴与所述俘获离子迁移分离器对齐,并且其中线性射频离子阱和俘获离子迁移分离器二者均包含用于沿公共轴径向地限定气流的管道。
17.根据权利要求14的系统,其中,沿至少一个轴向直流电场势垒的上升沿的电场强度的斜率,即轴向梯度,在上升沿的主要部分处不恒定。
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