[发明专利]用于半导体存储装置的控制器及其操作方法

说明书

本发明提供一种控制器，其包括：命令生成单元，其适用于生成用于选自所述多个页的至少一个页的第一读取命令；误差校正块，其适用于响应于第一读取命令对储存在所述至少一个选择的页中的一个或多个编码字执行第一误差校正操作；以及命令镜像单元，其适用于通过对第一读取命令进行镜像来生成镜像命令。

技术领域

各种示例性实施例总体涉及一种电子装置，且更具体地，涉及一种用于半导体存储装置的控制器及其操作方法。

背景技术

半导体存储装置是由诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(Inp)的半导体材料制成的储存装置。半导体存储装置可被分类为易失性存储装置和非易失性存储装置。

当断电时，易失性存储装置通常丢失储存的数据。易失性存储装置的示例包括静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)和同步DRAM(SDRAM)。非易失性存储装置无论通电/断电状态都保留储存的数据。非易失性存储装置的示例包括只读存储器(ROM)、掩膜ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除和可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、相变随机访问存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)和铁电RAM(FRAM)。闪速存储装置可根据使用的逻辑门的类型被分类为NOR型和NAND型。

发明内容

各种实施例涉及用于控制半导体存储装置的操作的控制器、包括该控制器和至少一个半导体存储装置的存储系统以及该控制器的操作方法。存储系统和控制器尤其展示了改善的操作速度。在已经阅读本公开后，本发明的实施例的其它优势将对本领域技术人员变得明显。

根据一个实施例，控制器被提供用于控制包括多个页的半导体存储装置。控制器可包括：命令生成单元，其适用于生成用于选自多个页的至少一个页的第一读取命令；误差校正块，其适用于响应于第一读取命令对储存在至少一个选择的页中的一个或多个编码字执行第一误差校正操作；以及命令镜像单元，其适用于通过对第一读取命令进行镜像来生成镜像命令。

当对一个或多个编码字中的至少一个的误差校正失败时，命令镜像单元可适用于生成第二读取命令。

控制器可适用于将第二读取命令通信至半导体存储装置，且误差校正块适用于响应于第二读取命令对一个或多个编码字中的至少一个执行误差校正操作。

第二读取命令可被输出至半导体存储装置，且当对应于第二读取命令的编码字被从半导体存储装置接收时，误差校正块可被配置为对对应于第二读取命令的编码字执行误差校正。

当对一个或多个编码字的每个的误差校正操作通过时，命令生成单元可将误差校正编码字提供至主机。

控制器可包括：主命令队列，其适用于在先进先出(FIFO)的基础上对第一读取命令进行入列和出列；镜像储存单元，其适用于储存镜像命令；以及子命令队列，其适用于在FIFO的基础上对第二读取命令进行入列和出列。

控制器可包括命令选择单元，其适用于将主命令队列的第一读取命令和子命令队列的第二读取命令中的一个提供至半导体存储装置。

当对一个或多个编码字中的每个的误差校正操作通过时，镜像储存单元中的镜像命令被取消。

第二读取命令可以是用于编码字的读取命令，其中，响应于第一读取命令的对该编码字的误差校正操作失败。

第二读取命令可以是用于选择的页的读取命令。

第二读取命令可包括用于对编码字中的至少一个或多个的一个或多个进行读取重试操作的一系列子命令，其中，响应于第一读取命令的对该编码字的误差校正操作失败。

第二读取命令可包括用于对编码字的一个或多个进行软判决(soft decision)操作的一系列子命令，其中，响应于第一读取命令的对该编码字的误差校正操作失败。