[发明专利]基于自停止刻蚀的氮化镓基材料开槽欧姆接触的制备方法

权利要求书

1.一种基于自停止刻蚀的氮化镓基材料开槽欧姆接触的制备方法，包括：

1)在氮化镓基表面制备隔离区；

2)在氮化镓基表面光刻欧姆开槽区；

3)刻蚀欧姆开槽区的氮化镓盖帽层并去除剩余光刻胶；

4)对经步骤3)处理后的氮化镓基表面进行高温氧化处理；

5)将高温氧化处理后的氮化镓基表面置于腐蚀性溶液中进行腐蚀，形成欧姆区域凹槽；

6)光刻源漏区域，制备欧姆接触。

2.如权利要求1所述的基于自停止刻蚀的氮化镓基材料开槽欧姆接触的制备方法，其特征在于，所述氮化镓基的材料包括AlGaN/GaN、InGaN/GaN或InAlN/GaN；步骤2)中光刻方式包括接触式光刻，光刻胶包括AZ5214。

3.如权利要求1所述的基于自停止刻蚀的氮化镓基材料开槽欧姆接触的制备方法，其特征在于，步骤3)中所述刻蚀的方法包括：RIE刻蚀或BOE溶液浸泡；采用有机溶剂清洗的方法去除剩余光刻胶，有机溶剂包括丙酮或异丙醇。

4.如权利要求1所述的基于自停止刻蚀的氮化镓基材料开槽欧姆接触的制备方法，其特征在于，步骤4)通过快速退火炉或管式退火炉进行所述高温氧化处理，高温氧化处理的温度为590-670℃，时间为40min-80min。

5.如权利要求1所述的基于自停止刻蚀的氮化镓基材料开槽欧姆接触的制备方法，其特征在于，步骤5)所述腐蚀性溶液为强碱溶液，质量浓度为10％-70％，温度为50-90℃，腐蚀时间为25min-70min。

6.如权利要求1所述的基于自停止刻蚀的氮化镓基材料开槽欧姆接触的制备方法，其特征在于，还包括：在步骤2)光刻欧姆开槽区之前，在氮化镓基表面淀积保护层，此时，步骤3)还包括同时刻蚀隔离区和欧姆开槽区的保护层，步骤5)还包括将腐蚀后的氮化镓基表面上的保护层去除。

7.如权利要求6所述的基于自停止刻蚀的氮化镓基材料开槽欧姆接触的制备方法，其特征在于，所述保护层的材料包括SiO₂或SiN；淀积保护层的方法包括：PECVD沉积，ICP-CVD淀积或光学薄膜沉积。

8.如权利要求6所述的基于自停止刻蚀的氮化镓基材料开槽欧姆接触的制备方法，其特征在于，采用可腐蚀氮化物或氧化物的酸性溶液去除氮化镓基材料表面的保护层，所述酸性溶液包括：BOE溶液或HF溶液。

9.如权利要求1所述的基于自停止刻蚀的氮化镓基材料开槽欧姆接触的制备方法，其特征在 于，制备欧姆接触时淀积金属包括钛铝镍金或钛铝钼金，制备欧姆接触的方法为电子束蒸发或溅射。

10.一种基于自停止刻蚀的氮化镓基材料开槽欧姆接触的制备方法，包括：

1)在氮化镓基表面光刻隔离区和欧姆开槽区；

2)刻蚀隔离区和欧姆开槽区的氮化镓盖帽层并去除剩余光刻胶；

3)对经步骤2)处理后的氮化镓基表面进行高温氧化处理；

4)将高温氧化处理后的氮化镓基表面置于腐蚀性溶液中进行腐蚀，形成隔离岛和欧姆区域凹槽；

5)光刻源漏区域，制备欧姆接触。