[发明专利]陶瓷材料、层叠体、半导体制造装置用构件及溅射靶材有效
| 申请号： | 201610080984.8 | 申请日： | 2011-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN105679663B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 渡边守道;神藤明日美;胜田祐司;佐藤洋介;矶田佳范 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/31;C04B35/581;C04B35/04 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 李晓 |
| 地址： | 日本国爱知县名*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷材料 层叠 半导体 制造 装置 构件 溅射 | ||
1.一种陶瓷材料，是以镁、铝、氧及氮为主成分的陶瓷材料，
主相为使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ＝47～50°的镁-铝氮氧化物相；
其中，副相为氧化镁中固溶了氮化铝的MgO-AlN固溶体的晶相；
其中，上述MgO-AlN固溶体的使用CuKα线时的(200)面及(220)面的XRD波峰分别出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ＝42.9～44.8°，62.3～65.2°；
Mg/Al mol比为0.4以上1.2以下。
2.根据权利要求1所述的陶瓷材料，其中，上述2θ为47～49°。
3.根据权利要求1或2所述的陶瓷材料，其以尖晶石MgAl2O4的晶相为副相。
4.根据权利要求1所述的陶瓷材料，其中，上述MgO-AlN固溶体的使用CuKα线时的(111)面的XRD波峰出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ＝36.9～39°。
5.根据权利要求1所述的陶瓷材料，其中，不含AlN晶相。
6.根据权利要求1所述的陶瓷材料，其起始原料中的镁源为MgO。
7.根据权利要求1所述的陶瓷材料，其起始原料为MgO、Al2O3和AlN。
8.根据权利要求1所述的陶瓷材料，通过将起始原料的混合粉末在成型后热压烧结而得到。
9.根据权利要求1所述的陶瓷材料，其开口孔隙率在0.12％以下。
10.一种层叠体，具有使用了权利要求1～9任意一项所述的陶瓷材料的第1结构体和主相为氮化铝、氧化钇及氧化铝中至少1种的第2结构体层叠或接合的结构。
11.根据权利要求10所述的层叠体，其中，上述第1结构体与上述第2结构体介由中间层接合。
12.根据权利要求10所述的层叠体，其中，上述第1结构体与上述第2结构体之间的线热膨胀系数差在0.3ppm/K以下，上述第1结构体与上述第2结构体直接接合。
13.一种半导体制造装置用构件，由权利要求1～9任意一项所述的陶瓷材料构成。
14.一种溅射靶材，由权利要求1～9任意一项所述的陶瓷材料构成。
15.根据权利要求14所述的溅射靶材，用于磁隧道结元件的隧道势垒的制作。
16.根据权利要求15所述的溅射靶材，用于硬盘的磁头及磁阻式随机存取存储器中至少1个上述磁隧道结元件的制作。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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