[发明专利]表面安装型电阻桥的封装结构和封装工艺有效
| 申请号: | 201610079763.9 | 申请日: | 2016-02-04 |
| 公开(公告)号: | CN105552044B | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
| 发明(设计)人: | 马国荣 | 申请(专利权)人: | 无锡天和电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/48;H01L23/492;H01L23/64 |
| 代理公司: | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙)32228 | 代理人: | 聂启新 |
| 地址: | 214000 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 表面 安装 电阻 封装 结构 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及微电子封装技术领域,具体来说,涉及一种电阻桥的封装结构及其封装工艺。
背景技术
现有的电阻桥封装通常将芯片安装在金属或陶瓷基座(如TO型金属外壳、插针引脚或者表面安装陶瓷基座等)的腔体中,用金丝/金带或铝丝/铝带等将芯片与基座电极互连起来,再用绝缘胶将金属丝包裹(包括芯片压焊焊盘),电阻桥有效区暴露出来,亦或在印刷线路板(PCB)上进行封装(COB),这些均存在封装尺寸大,封装成本高等不足,不能像1206、0805、0603等规格尺寸的表面安装电阻、电容一样采用现有表面安装设备自动贴装并能满足超薄、超小型尺寸要求的封装需求。
针对相关技术中的问题,目前尚未提出有效的解决方案。
发明内容
本发明的目的是提供一种表面安装型电阻桥的封装结构和封装工艺,以克服目前存在的上述不足。
为实现上述技术目的,本发明的技术方案是这样实现的:
一种表面安装型电阻桥的封装结构,包括半导体电阻桥芯片,所述半导体电阻桥芯片包括上端面边缘的引出端焊盘、上端面中部的电阻桥区和下端面的绝缘层,所述引出端焊盘与电阻桥区相联;所述半导体电阻桥芯片靠近引出端焊盘两侧端面由粘接层通过粘接的方式与金属电极固定;所述引出端焊盘与金属电极上端面通过金属引线相连接;所述引出端焊盘、金属引线和金属电极上端面用包封胶包封,半导体电阻桥芯片上端面的电阻桥区无包封胶。
进一步的,所述金属电极的上表面为可焊性优良的焊料涂镀层,所述金属电极的表面镀敷层结构材料为镍-金或镍-钯金。
进一步的,所述金属引线通过热压球焊、超声楔焊或载带自动焊的方式将半导体电阻桥芯片的引出端焊盘与金属电极互连起来。
进一步的,所述半导体电阻桥芯片的下端面和金属电极的下端面共面、侧面呈直线。
进一步的,所述半导体电阻桥芯片下端面的绝缘层是圆片时制作厚度为几微米到几十微米且能经受住电阻桥使用中可能的焊接温度的有机膜或玻璃。
进一步的,所述粘接层为绝缘性有机胶或玻璃,厚度在几十微米到几百微米。
一种表面安装型电阻桥的封装工艺,包括如下步骤:
步骤1):芯片分离,将半导体电阻桥圆片减薄到表面安装尺寸需要的厚度,在半导体电阻桥圆片背面制作几到几十微米厚度的绝缘层,其中,绝缘层为聚酰亚胺、环氧树脂或SiO2层;将半导体电阻桥圆片采用金刚砂轮划片机或激光划片机切割分离出单颗半导体电阻桥芯片;
步骤2):金属电极制作,采用模具冲制或刻蚀出半导体电阻桥安装需要的尺寸金属电极,并在金属电极的表面镀上镍-金或镍-钯金层;
步骤3):将半导体电阻桥芯片靠近引出端焊盘两侧端面通过几十微米到几百微米厚度的材料为绝缘性环氧树脂或玻璃的粘接层与金属电极粘接,并且保证半导体电阻桥芯片下端面和金属电极的下端面共面、半导体电阻桥芯片侧面和金属电极的侧面呈直线;
步骤4):互连,将粘接好后的半导体电阻桥芯片与金属电极采用氩-氢离子进行清洗,然后用金属引线将半导体电阻桥芯片上端面边缘的引出端焊盘与同侧的金属电极上端面相互连接;
步骤5):包封,将半导体电阻桥芯片上端面边缘的引出端焊盘、金属引线和金属电极上端面用包封胶包封并固化;
步骤6):检测,对封装半导体电阻桥进行外观检查、性能测试以及代码标识打印。
本发明的有益技术效果是:
本发明用金属电极与半导体电阻桥芯片直接粘接,不需要底座或基板,缩小了封装尺寸、降低了封装厚度降低了封装成本;并通过控制半导体电阻桥芯片、金属电极的面积而实现半导体电阻桥表面安装尺寸的标准化(如1206、0805、0603、0402等)。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1-1是根据本发明实施例所述的半导体电阻桥芯片的示意图。
图1-2是图1-1的A-A剖视图。
图2-1是根据本发明实施例所述的金属电极的示意图。
图2-2是图2-1的A-A剖视图。
图3是根据本发明实施例所述的的半导体电阻桥芯片与金属电极互连的俯视图。
图4是根据本发明实施例所述的半导体电阻桥包封的俯视图。
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