[发明专利]电容器件及其形成方法

权利要求书

1.一种电容器件，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括有源区；

位于所述衬底的有源区表面的主栅极结构、以及分别位于主栅极结构两侧的第一伪栅极结构；

分别位于所述主栅极结构两侧的衬底有源区内的掺杂区，所述掺杂区位于相邻主栅极结构和第一伪栅极结构之间；

分别位于所述主栅极结构两侧的第一导电结构，所述第一导电结构位于主栅极结构一侧的掺杂区表面和第一伪栅极结构表面。

2.如权利要求1所述的电容器件，其特征在于，所述第一导电结构包括：位于掺杂区表面的第一导电插塞、以及位于第一导电插塞顶部表面和第一伪栅极结构顶部表面的第一导电层。

3.如权利要求1所述的电容器件，其特征在于，还包括：位于所述衬底内的隔离结构，所述隔离结构包围所述有源区。

4.如权利要求3所述的电容器件，其特征在于，还包括：位于所述隔离结构表面的第二伪栅极结构。

5.如权利要求4所述的电容器件，其特征在于，还包括：位于所述隔离结构表面的第二导电结构，所述第二导电结构位于所述第一伪栅极结构和第二伪栅极结构之间。

6.如权利要求5所述的电容器件，其特征在于，所述第二导电结构与所述第二伪栅极结构电连接。

7.如权利要求5所述的电容器件，其特征在于，所述第二导电结构与所述第一导电结构或所述第一伪栅极结构电连接。

8.如权利要求1所述的电容器件，其特征在于，所述掺杂区包括：位于所述主栅极结构两侧的衬底内的开口；位于所述开口内的外延层。

9.如权利要求8所述的电容器件，其特征在于，所述外延层的材料为硅锗，所述外延层内掺杂有P型离子；或者，所述外延层的材料为磷化硅或碳化硅，所述外延层内掺杂有N型离子。

10.如权利要求1所述的电容器件，其特征在于，还包括：位于所述衬底有源区内的第一阱区，所述第一阱区内掺杂有第一类型离子；所述第一类型离子为P型离子或N型离子。

11.如权利要求10所述的电容器件，其特征在于，所述掺杂区内掺杂有第一类型离子。

12.如权利要求10所述的电容器件，其特征在于，位于所述第一阱区底部的衬底内的第二阱区，所述第二阱区内掺杂有第二类型离子；所述第二类型离子为N型离子或P型离子。

13.如权利要求12所述的电容器件，其特征在于，还包括：位于第一阱区和第二阱区之间的深阱区，所述深阱区内掺杂有第一类型离子。

14.如权利要求1所述的电容器件，其特征在于，还包括：位于所述衬底表面的层间介质层；所述主栅极结构、第一伪栅极结构和第一导电结构位于所述层间介质层内。

15.如权利要求1所述的电容器件，其特征在于，所述主栅极结构包括：位于衬底表面的主栅介质层、以及位于主栅介质层表面的主栅极层。

16.如权利要求15所述的电容器件，其特征在于，所述主栅介质层的材料为高K介质材料；所述主栅极层的材料为金属。

17.如权利要求3所述的电容器件，其特征在于，所述衬底包括：基底、以及位于基底表面的鳍部；在所述鳍部内形成所述有源区；所述隔离结构位于所述基底表面以及部分鳍部的侧壁表面，且所述隔离结构的表面低于所述鳍部的表面。