[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有隔离层；

在所述隔离层上由下到上依次形成牺牲层和图形化的掩膜层；

以所述图形化的掩膜层为掩膜刻蚀所述牺牲层直至暴露出隔离层的表面，在所述牺牲层中形成沟槽，所述沟槽的侧壁形成有若干对沟槽凸起，每对沟槽凸起分别位于沟槽两侧侧壁；

形成填充满所述沟槽的鳍部，所述沟槽凸起内形成鳍部凸起，形成所述鳍部的工艺为选择性外延生长工艺；

形成所述鳍部后，去除所述牺牲层和图形化的掩膜层。

2.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，当所述沟槽具有一对沟槽凸起时，形成所述沟槽的步骤为：

以所述图形化的掩膜层为掩膜，向下刻蚀所述牺牲层，在所述牺牲层中形成第一凹槽；

在所述第一凹槽的内壁形成第一保护层后，沿着所述第一凹槽向下刻蚀第一保护层和牺牲层，在向下刻蚀牺牲层的同时横向刻蚀牺牲层，在第一凹槽的底部形成向外侧突出的第一开口；

在所述第一凹槽和第一开口的内壁形成第二保护层；

沿着第一凹槽和第一开口向下刻蚀第二保护层和牺牲层直至暴露出隔离层的表面，在所述第一开口的底部形成第二凹槽；

去除所述第一保护层和第二保护层。

3.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，当所述沟槽具有两对沟槽凸起时，形成所述沟槽的步骤为：

以所述图形化的掩膜层为掩膜，向下刻蚀所述牺牲层，在所述牺牲层中形成第一凹槽；

在所述第一凹槽的内壁形成第一保护层后，沿着所述第一凹槽向下刻蚀第一保护层和牺牲层，在向下刻蚀牺牲层的同时横向刻蚀牺牲层，在第一凹槽的底部形成向外侧突出的第一开口；

在所述第一凹槽和第一开口的内壁形成第二保护层；

沿着第一凹槽和第一开口向下刻蚀第二保护层和牺牲层，在所述第一开口的底部形成第二凹槽；

在所述第一凹槽、第一开口和第二凹槽的内壁形成第三保护层后，沿着所述第一凹槽、第一开口和第二凹槽向下刻蚀第三保护层和牺牲层，在向下刻蚀牺牲层的同时横向刻蚀牺牲层，在第二凹槽的底部形成向外侧突出的第二开口；

在所述第一凹槽、第一开口、第二凹槽和第二开口的内壁形成第四保护层；

沿着第一凹槽、第一开口、第二凹槽和第二开口向下刻蚀第四保护层和牺牲层直至暴露出隔离层的表面，在所述第二开口的底部形成第三凹槽；

去除所述第一保护层、第二保护层、第三保护层和第四保护层。