[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底表面形成有若干分立的栅极结构，所述基底表面还形成有覆盖栅极结构顶部和侧壁表面的介质层，且介质层顶部高于栅极结构顶部；

在所述介质层表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层横跨相邻栅极结构之间的介质层，且暴露出相邻栅极结构之间的部分介质层表面；

在位于所述相邻栅极结构之间的介质层表面的第一掩膜层侧壁表面形成侧墙层；

在形成所述侧墙层之后，在所述第一掩膜层表面以及介质层表面形成具有开口的第二掩膜层，所述开口横跨所述第一掩膜层以及侧墙层，且所述开口位于相邻栅极结构之间的介质层的上方；

以所述第二掩膜层为掩膜，沿所述开口刻蚀被侧墙层以及第一掩膜层暴露出的介质层，直至暴露出基底表面，在所述相邻栅极结构之间的介质层内形成分立的接触孔；

去除所述第二掩膜层以及第一掩膜层；

形成填充满所述接触孔的导电插塞。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在平行于相邻栅极结构排列方向上，所述第一掩膜层的宽度大于或等于相邻栅极结构之间的介质层的宽度。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成的所述侧墙层还位于栅极结构上方的介质层表面的第一掩膜层侧壁表面。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述接触孔的刻蚀工艺过程中，所述侧墙层被部分或全部刻蚀去除。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，位于所述第一掩膜层正下方的介质层顶部高于所述第一掩膜层暴露的介质层顶部，所述侧墙层还覆盖于所述第一掩膜层正下方的介质层侧壁表面。

6.如权利要求1或5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述侧墙层的工艺步骤包括：在所述第一掩膜层顶部表面和侧壁表面、以及介质层表面形成侧墙膜；采用无掩膜刻蚀工艺回刻蚀所述侧墙膜，刻蚀去除位于第一掩膜层顶部表面以及部分介质层表面的侧墙膜，形成覆盖于所述第一掩膜层侧壁表面的侧墙层。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺形成所述侧墙膜。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙层的材料为氮化硅、氮化钛、氮化铜、氮化铝或氮化硼中的一种或多种。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙层的宽度尺寸为1纳米至5纳米。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一掩膜层的工艺步骤包括：在所述介质层表面形成第一初始掩膜；在所述第一初始掩膜表面形成图形层；以所述图形层为掩膜刻蚀所述第一初始掩膜，还刻蚀部分厚度的介质层，在介质层表面形成所述第一掩膜层；去除所述图形层。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料为氮化钛、氮化铜、氮化铝或氮化硼中的一种或多种。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在平行于相邻栅极结构排列的方向上，所述开口的宽度小于或等于相邻栅极结构之间的宽度。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层、位于栅介质层表面的栅电极层。

14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构还包括覆盖栅介质层侧壁表面以及栅电极层侧壁表面的栅极侧墙、以及位于栅电极层侧壁表面的硬掩膜层，利用所述栅极侧墙以及硬掩膜层，采用自对准刻蚀工艺形成所述接触孔。