[发明专利]半导体结构及包含所述半导体结构的传声器的制备方法

权利要求书

1.一种包含半导体结构的传声器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上沉积第一二氧化硅层，刻蚀所述第一二氧化硅层以在对应于后续要形成保护柱的位置形成第一开口；

在所述第一二氧化硅层表面形成Ge填充层，并在所述Ge填充层及第一二氧化硅层内形成下电极，所述下电极的下表面形成有所述保护柱，所述保护柱用于确保所述下电极不与所述半导体衬底完全接触，该步骤包括：在所述第一二氧化硅层表面及所述第一开口内沉积第一Ge层，所述第一Ge层表面形成有与所述第一开口相对应的凹槽，在所述第一Ge层表面及所述凹槽内沉积第一多晶硅层作为下电极，并在所述凹槽内形成保护柱，以及在所述下电极表面沉积第二Ge层；

在所述Ge填充层表面依次沉积第二二氧化硅层及第三二氧化硅层，刻蚀所述第二二氧化硅层及所述第三二氧化硅层，以在对应于后续要形成阻挡结构的位置形成第二开口；

在所述第三二氧化硅层表面形成上电极；

在所述上电极、所述第三二氧化硅层表面及所述第二开口内沉积氮化硅层，位于所述第二开口内的所述氮化硅层形成所述阻挡结构；

刻蚀去除位于所述第三二氧化硅层表面的所述氮化硅层形成声孔；

背面刻蚀所述半导体衬底，形成贯穿所述半导体衬底的通孔；

去除所述第一二氧化硅层、所述Ge填充层、所述第二二氧化硅层及所述第三二氧化硅层。

2.根据权利要求1所述的包含半导体结构的传声器的制备方法，其特征在于，在所述第三二氧化硅层表面形成上电极包括以下步骤：

在所述第三二氧化硅层表面沉积第二多晶硅层；

图形化所述第二多晶硅层以形成所述上电极。

3.根据权利要求1所述的包含半导体结构的传声器的制备方法，其特征在于：采用H₂O₂去除所述Ge填充层。

4.一种半导体结构，所述半导体结构通过权利要求1至3任一项所述的制备方法制备而成，其特征在于，所述半导体结构由下至上依次包括半导体衬底、第一二氧化硅层、第一Ge层、下电极、第二Ge层、第二二氧化硅层、第三二氧化硅层、上电极及氮化硅层；

所述下电极底部形成有延伸至所述第一Ge层内的保护柱，所述保护柱用于确保所述下电极不与所述半导体衬底完全接触；

所述第一二氧化硅层内形成有对应所述保护柱的第一开口，所述第一开口被所述第一Ge层填充；

所述氮化硅层底部形成有延伸至所述第二二氧化硅层及所述第三二氧化硅层内的阻挡结构，所述氮化硅层内形成有贯穿所述氮化硅层的声孔；

所述半导体衬底内形成有贯穿所述半导体衬底的通孔。